| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2012-11-16 13:55
EFI-SHG法によるフレキシブル有機トランジスタの特性評価 ~ 曲げ変形の効果 ~ ○阿部洋平・田口 大・間中孝彰・岩本光正(東工大) OME2012-57 OPE2012-129 |
| 抄録 |
(和) |
有機半導体層をtips-pentacene、ゲート絶縁膜をポリイミドとしたフレキシブルトランジスタを作製し、曲げ変形によるトランジスタ特性への効果を評価した。曲げ変形により引張り応力がトランジスタチャネル方向に働く場合は実効キャリア移動度が減少し、圧縮応力が働く場合は増大した。また、曲げ変形による実効キャリア移動度の変化を誘電体理論に基づいて考察し、ゲート絶縁膜の変形から予想されるよりも大きく変化していることを明らかにした。さらに顕微電界誘起光第2次高調波発生(EFI-SHG)法によりフレキシブルトランジスタのチャネル部のキャリア挙動の観察を行った。 |
| (英) |
We studied the effect of bending on flexible organic field-effect transistors (active layer: TIPS pentacene, gate-insulator: polyimide) in terms of transfer characteristics. Results showed that the effective carrier mobility increased ~30 % with 1.5 % mechanical strain (compressive stress), whereas it decreased ~15 % with -1.5 % strain (tensile stress). Theoretical analysis based on the Maxwell-Wagner effect was carried out, and suggested that both carrier mobility and carrier density in the OFET channel were modulated due to the mechanical strains. The microscopic EFISHG image showed the carrier transport governed by grains of tips-pentacene. The microscopic EFISHG observation is a powerful tool to investigate carrier processes in flexible OFETs subjected to mechanical strains. |
| キーワード |
(和) |
フレキシブルトランジスタ / マックスウェル・ワグナー効果 / 電界誘起光第2次高調波発生(EFI-SHG)法 / / / / / |
| (英) |
flexible field-effect transistor / Maxwell-Wagner effect / EFISHG, carrier mechanism / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 295, OME2012-57, pp. 13-18, 2012年11月. |
| 資料番号 |
OME2012-57 |
| 発行日 |
2012-11-09 (OME, OPE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
OME2012-57 OPE2012-129 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
OME OPE |
| 開催期間 |
2012-11-16 - 2012-11-16 |
| 開催地(和) |
機械振興会館 |
| 開催地(英) |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ(和) |
光機能性有機材料・デバイス、光非線形現象、一般 |
| テーマ(英) |
|
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
OME |
| 会議コード |
2012-11-OME-OPE |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル(和) |
EFI-SHG法によるフレキシブル有機トランジスタの特性評価 |
| サブタイトル(和) |
曲げ変形の効果 |
| タイトル(英) |
Analysis of flexible OFET characteristics by using EFI-SHG |
| サブタイトル(英) |
the effect of bending |
| キーワード(1)(和/英) |
フレキシブルトランジスタ / flexible field-effect transistor |
| キーワード(2)(和/英) |
マックスウェル・ワグナー効果 / Maxwell-Wagner effect |
| キーワード(3)(和/英) |
電界誘起光第2次高調波発生(EFI-SHG)法 / EFISHG, carrier mechanism |
| キーワード(4)(和/英) |
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| キーワード(5)(和/英) |
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| キーワード(6)(和/英) |
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| キーワード(7)(和/英) |
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| キーワード(8)(和/英) |
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| 第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
阿部 洋平 / Yohei Abe / アベ ヨウヘイ |
| 第1著者 所属(和/英) |
東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
田口 大 / Dai Taguchi / タグチ ダイ |
| 第2著者 所属(和/英) |
東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech) |
| 第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
間中 孝彰 / Takaaki Manaka / マナカ タカアキ |
| 第3著者 所属(和/英) |
東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech) |
| 第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
岩本 光正 / Mitsumasa Iwamoto / イワモト ミツマサ |
| 第4著者 所属(和/英) |
東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech) |
| 第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2012-11-16 13:55:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
OME |
| 資料番号 |
OME2012-57, OPE2012-129 |
| 巻番号(vol) |
vol.112 |
| 号番号(no) |
no.295(OME), no.296(OPE) |
| ページ範囲 |
pp.13-18 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2012-11-09 (OME, OPE) |
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