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講演抄録/キーワード
講演名 2012-11-16 13:55
EFI-SHG法によるフレキシブル有機トランジスタの特性評価 ~ 曲げ変形の効果 ~
阿部洋平田口 大間中孝彰岩本光正東工大OME2012-57 OPE2012-129
抄録 (和) 有機半導体層をtips-pentacene、ゲート絶縁膜をポリイミドとしたフレキシブルトランジスタを作製し、曲げ変形によるトランジスタ特性への効果を評価した。曲げ変形により引張り応力がトランジスタチャネル方向に働く場合は実効キャリア移動度が減少し、圧縮応力が働く場合は増大した。また、曲げ変形による実効キャリア移動度の変化を誘電体理論に基づいて考察し、ゲート絶縁膜の変形から予想されるよりも大きく変化していることを明らかにした。さらに顕微電界誘起光第2次高調波発生(EFI-SHG)法によりフレキシブルトランジスタのチャネル部のキャリア挙動の観察を行った。 
(英) We studied the effect of bending on flexible organic field-effect transistors (active layer: TIPS pentacene, gate-insulator: polyimide) in terms of transfer characteristics. Results showed that the effective carrier mobility increased ~30 % with 1.5 % mechanical strain (compressive stress), whereas it decreased ~15 % with -1.5 % strain (tensile stress). Theoretical analysis based on the Maxwell-Wagner effect was carried out, and suggested that both carrier mobility and carrier density in the OFET channel were modulated due to the mechanical strains. The microscopic EFISHG image showed the carrier transport governed by grains of tips-pentacene. The microscopic EFISHG observation is a powerful tool to investigate carrier processes in flexible OFETs subjected to mechanical strains.
キーワード (和) フレキシブルトランジスタ / マックスウェル・ワグナー効果 / 電界誘起光第2次高調波発生(EFI-SHG)法 / / / / /  
(英) flexible field-effect transistor / Maxwell-Wagner effect / EFISHG, carrier mechanism / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 295, OME2012-57, pp. 13-18, 2012年11月.
資料番号 OME2012-57 
発行日 2012-11-09 (OME, OPE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード OME2012-57 OPE2012-129

研究会情報
研究会 OME OPE  
開催期間 2012-11-16 - 2012-11-16 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 光機能性有機材料・デバイス、光非線形現象、一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2012-11-OME-OPE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) EFI-SHG法によるフレキシブル有機トランジスタの特性評価 
サブタイトル(和) 曲げ変形の効果 
タイトル(英) Analysis of flexible OFET characteristics by using EFI-SHG 
サブタイトル(英) the effect of bending 
キーワード(1)(和/英) フレキシブルトランジスタ / flexible field-effect transistor  
キーワード(2)(和/英) マックスウェル・ワグナー効果 / Maxwell-Wagner effect  
キーワード(3)(和/英) 電界誘起光第2次高調波発生(EFI-SHG)法 / EFISHG, carrier mechanism  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 阿部 洋平 / Yohei Abe / アベ ヨウヘイ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 田口 大 / Dai Taguchi / タグチ ダイ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 間中 孝彰 / Takaaki Manaka / マナカ タカアキ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩本 光正 / Mitsumasa Iwamoto / イワモト ミツマサ
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
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講演者 第1著者 
発表日時 2012-11-16 13:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 OME 
資料番号 OME2012-57, OPE2012-129 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.295(OME), no.296(OPE) 
ページ範囲 pp.13-18 
ページ数
発行日 2012-11-09 (OME, OPE) 


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