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| 講演名 | 2012-11-19 14:15 インピーダンス分光法によるAlq3系有機EL素子のITO-有機層界面へのバッファ層挿入による寿命改善の分析 ○大城朝是・小西将弘・梶井博武（阪大）・大塚岳夫（カネカ協働研）・大森 裕（阪大）  OME2012-69 |
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| 抄録 | （和） | Indium-Tin-Oxide(ITO)基板上に正孔輸送層にN,N’-bis(1-naphtyl)-N,N’-diphenyl-1,1’-biphenyl-4,4’-diamine (\alpha$-NPD)、発光層にtris-(8-hydroxyquinolinato)aluminum (Alq_3)をそれぞれ真空蒸着法で60 nm積層した素子で、初期輝度を5,000 cd/m^2とした輝度半減寿命は20 時間であった。次に、キャリア発生層として知られる、1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene- hexacarbonitrile (HAT(CN)_6) 層をITO/$\alpha$-NPD界面に10 nm挿入した素子では輝度半減寿命は180 時間となり、寿命が改善された。寿命が改善された原因を解明するためにインピーダンス分光法を用いて解析を行った。本研究では、Alq_3層、$\alpha$-NPD層のそれぞれをRC並列回路とみなした等価回路モデルを設定し、等価回路のフィッティングによって、未劣化素子、輝度50％劣化素子における各層の抵抗値を求めた。HAT(CN)_6層の有無によらずAlq_3層が高抵抗化され、HAT(CN)_6層を挿入しない場合に$\alpha$-NPD層の抵抗が増加した一方で、HAT(CN)_6層を挿入することによって$\alpha$-NPD層の高抵抗化が抑制された。HAT(CN)_6層の挿入による$\alpha$-NPD層の劣化の抑制が寿命改善に繋がったと結論付けた。 |
| （英） | The properties of tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum (Alq_3)-based OLEDs without and with a 10-nm-thick 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile (HAT(CN)_6) buffer layer at the interface between indium-tin-oxide(ITO) and N,N’-bis(1-naphtyl)-N,N’-diphenyl-1,1’-biphenyl-4,4’-diamine ($\alpha$-NPD) layer were investigated. The device lifetime was taken from the initial luminance of 5000 cd/m^2 to 2500 cd/m2. For a device with HAT(CN)_6, lifetime value is improving, and an Alq3 based OLED with an estimated lifetime of over 180 hours (time to reach 50 % of initial intensity) at 5,000 cd/m^2 was obtained. From measurement of impedance spectroscopy analysis, the improved hole injection from ITO to $\alpha$-NPD results in the improved lifetime of an Alq_3 based OLED. | |
| キーワード | （和） | 有機EL / バッファ層 / Alq3 / インピーダンス分光法 / / / / |
| （英） | organic light-emitting diode / bufferlayer / Alq3 / impedance spectroscopy / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 304, OME2012-69, pp. 39-42, 2012年11月. | |
| 資料番号 | OME2012-69 | |
| 発行日 | 2012-11-12 (OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OME2012-69 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
| 開催期間 | 2012-11-19 - 2012-11-19 |
| 開催地（和） | 大阪大学中之島センター 講義室３０２ |
| 開催地（英） | Room 302, Nakanoshima Ctr., Osaka Univ. |
| テーマ（和） | 有機材料・一般 |
| テーマ（英） | Organic Materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2012-11-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | インピーダンス分光法によるAlq3系有機EL素子のITO-有機層界面へのバッファ層挿入による寿命改善の分析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impedance spectroscopy analysis of buffer layer insertion at the interface between ITO and organic layer for the improvement of device stability in Alq3 organic light-emitting devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機EL / organic light-emitting diode |
| キーワード(2)（和/英） | バッファ層 / bufferlayer |
| キーワード(3)（和/英） | Alq3 / Alq3 |
| キーワード(4)（和/英） | インピーダンス分光法 / impedance spectroscopy |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大城 朝是 / Tomoyuki Oshiro / オオシロ トモユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小西 将弘 / Masahiro Konishi / コニシ マサヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梶井 博武 / Hirotake Kajii / カジイ ヒロタケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大塚 岳夫 / Takeo Otsuka / オオツカ タケオ |
| 第4著者 所属（和/英） | カネカ基盤技術共同研究所 (略称： カネカ協働研) KANEKA Fundamental Technology Research Alliance Laboratories (略称： KANEKA Fundamental Technology Research Alliance Lab.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大森 裕 / Yutaka Ohmori / オオモリ ユタカ |
| 第5著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-19 14:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2012-69 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.304 |
| ページ範囲 | pp.39-42 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-11-12 (OME) |
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