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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-11-28 14:55 中性子起因SEMTの電源電圧及び基板バイアス依存性測定 ○原田 諒（阪大）・密山幸男（高知工科大）・橋本昌宜・尾上孝雄（阪大）  VLD2012-100 DC2012-66 |
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| 抄録 | （和） | 本稿では，中性子起因一過性複数パルス(SEMT) の測定結果を示す．まずSEMT 測定回路を提案し，65nmプロセスで試作したテストチップを用いてSEMT の電源電圧・基板バイアス依存性を評価する．測定結果から，同一ウェル内の6 個の隣接したインバータで同時にパルスが発生しうること，一過性パルス(SET) に占めるSEMT の割合が，電源電圧0.7V，逆基板バイアス印加時に40%に達することを示す．また，SEMT の空間的な分布とソフトエラー有感領域間の距離の関係も議論する．最後に，一過性単一パルス(SEST) と一過性単一反転(SESU) の発生確率から，SEMT の測定結果の妥当性を検証する． |
| （英） | This paper presents measurement results of neutron induced single event multiple transients (SEMT). We devise an SEMT measurement circuit and evaluate the dependency of SEMT on supply and body voltages using test chips fabricated in a 65nm CMOS process. Measurement results show that transients can arise simultaneously at adjacent six inverters sharing the same well, and SEMT ratio to all the single event transients reaches 40% at 0.7V with reverse body biasing. We also investigate the correlation between the spatial spreading of SEMT and the distance between sensitive nodes in layout. Furthermore, referring to the occurrence rates of single event single transient (SEST) and single event single upset (SESU), we validate the measured results. | |
| キーワード | （和） | 中性子起因ソフトエラー / 一過性パルス(SET) / 一過性複数パルス(SEMT) / 測定結果 / / / / |
| （英） | Neutron-induced soft error / Single event transient (SET) / Single event multiple transients (SEMT) / Measurement result / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 320, VLD2012-100, pp. 237-241, 2012年11月. | |
| 資料番号 | VLD2012-100 | |
| 発行日 | 2012-11-19 (VLD, DC) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2012-100 DC2012-66 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD DC IPSJ-SLDM CPSY RECONF ICD CPM |
| 開催期間 | 2012-11-26 - 2012-11-28 |
| 開催地（和） | 九州大学百年講堂 |
| 開催地（英） | Centennial Hall Kyushu University School of Medicine |
| テーマ（和） | デザインガイア2012 -VLSI設計の新しい大地- |
| テーマ（英） | Design Gaia 2012 -New Field of VLSI Design- |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | VLD |
| 会議コード | 2012-11-VLD-DC-SLDM-CPSY-RECONF-ICD-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 中性子起因SEMTの電源電圧及び基板バイアス依存性測定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Neutron Induced Single Event Multiple Transients With Voltage Scaling and Body Biasing |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 中性子起因ソフトエラー / Neutron-induced soft error |
| キーワード(2)（和/英） | 一過性パルス(SET) / Single event transient (SET) |
| キーワード(3)（和/英） | 一過性複数パルス(SEMT) / Single event multiple transients (SEMT) |
| キーワード(4)（和/英） | 測定結果 / Measurement result |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原田 諒 / Ryo Harada / ハラダ リョウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 密山 幸男 / Yukio Mitsuyama / ミツヤマ ユキオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi University of Technology (略称： Kochi Univ. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋本 昌宜 / Masanori Hashimoto / ハシモト マサノリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾上 孝雄 / Takao Onoye / オノエ タカオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-28 14:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | VLD |
| 資料番号 | VLD2012-100, DC2012-66 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.320(VLD), no.321(DC) |
| ページ範囲 | pp.237-241 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-11-19 (VLD, DC) |
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