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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-12-07 16:15 HfO2-Conducting-Bridge memoryにおけるリセットパラメータの相関関係 ○鶴田茂之・木下健太郎・長谷川 祥・榎本優太郎・岸田 悟（鳥取大）  SDM2012-135 |
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| 抄録 | （和） | 新規の不揮発性メモリやスイッチング素子として期待されるConducting Bridge memory (CB-RAM)において, 従来用いられてきた固体電解質を酸化物に置き換えたCB-RAMは特性の向上が期待されている. メモリとしての応用上, 高速動作が求められているが, 酸化物を用いたCB-RAMの動作速度を決定するパラメータは明らかになっていない. さらに, 最も重要なパラメータを明らかにするためには, 考えられるパラメータの同時取得による比較が必要である. 本研究では, Cu/HfO2/Pt 構造に電圧パルスを印加し, リセット波形から4つのパラメータ(リセット時間, 印加電圧, リセット温度, 低抵抗値)を同時取得した. パラメータの相関関係を分析した結果, スイッチング速度の向上には低抵抗値及び印加電圧を高くする必要性があることが示唆された. |
| （英） | Improvement of memory performance of conducting-bridge random access memory (CB-RAM) is possible simply by replacing conventionally used solid electrolytes with metal oxides such as HfO2. However, elucidation of parameters which are related to switching speed is still an open issue. In this paper, we estimated four parameters of reset time (treset), reset voltage (Vreset), reset temperature, and resistance in low resistance state (RLRS) at the same time, and discussed correlation between them. As a result, it was suggested that making RLRS higher and applying higher Vreset is crucial for getting treset shorter. |
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| キーワード | （和） | CB-RAM / スイッチング速度 / スイッチングパラメータ / / / / / |
| （英） | CB-RAM / switching speed / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 337, SDM2012-135, pp. 119-122, 2012年12月. | |
| 資料番号 | SDM2012-135 | |
| 発行日 | 2012-11-30 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-135 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-12-07 - 2012-12-07 |
| 開催地（和） | 京都大学(桂) |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. (Katsura) |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si-related Materials and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | HfO2-Conducting-Bridge memoryにおけるリセットパラメータの相関関係 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Correlation between parameters related to reset speed in HfO2 Conducting-Bridge memory |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | CB-RAM / CB-RAM |
| キーワード(2)（和/英） | スイッチング速度 / switching speed |
| キーワード(3)（和/英） | スイッチングパラメータ / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鶴田 茂之 / Shigeyuki Tsuruta / ツルタ シゲユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 鳥取大学 (略称： 鳥取大) Tottori University (略称： Tottori Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木下 健太郎 / Kentaro Kinoshita / キノシタ ケンタロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 鳥取大学 (略称： 鳥取大) Tottori University (略称： Tottori Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長谷川 祥 / Sho Hasegawa / ハセガワ ショウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 鳥取大学 (略称： 鳥取大) Tottori University (略称： Tottori Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 榎本 優太郎 / Yutaro Enomoto / エノモト ユウタロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 鳥取大学 (略称： 鳥取大) Tottori University (略称： Tottori Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸田 悟 / Satoru Kishida / キシダ サトル |
| 第5著者 所属（和/英） | 鳥取大学 (略称： 鳥取大) Tottori University (略称： Tottori Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-12-07 16:15:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-135 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.337 |
| ページ範囲 | pp.119-122 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-11-30 (SDM) |
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