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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-12-07 13:30 デバイスシミュレーションによるアモルファス酸化物半導体における劣化現象の理論的解析 ○浦川 哲・上岡義弘・山崎はるか・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大）  SDM2012-125 |
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| 抄録 | （和） | 透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)はa-Siに代わる次世代材料として，薄膜トランジスタなど次世代情報端末への応用が非常に期待されている．しかしながら，TAOSはアモルファス構造に起因したギャップ内DOS(DOS)によって特性劣化が引き起こされることが報告されている．本研究では，劣化現象を解明するためATLASを用いてシミュレーションを行った．また，TAOS-TFTの信頼性試験で得られた電流電圧特性を理論的に解析することによってDOSの経時変化を分析した． |
| （英） | Transparent amorphous oxide semiconductor (TAOS) has attracted considerable attention as an alternative material for a-Si to develop thin film transistors for next generation devices. However, it has reported that a degradation phenomenon for TAOS was caused by changing of density of state (DOS) in the bulk based on amorphous structure. In this report, we have performed device simulation (ATLAS) in order to clarify the degradation phenomena. | |
| キーワード | （和） | 酸化物半導体 / 薄膜トランジスタ / デバイスシミュレーション / 欠陥準位 / 界面トラップ / / / |
| （英） | oxide semiconductor / thin film transistor / device simulation / density of state / inteface trap / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 337, SDM2012-125, pp. 59-64, 2012年12月. | |
| 資料番号 | SDM2012-125 | |
| 発行日 | 2012-11-30 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-125 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-12-07 - 2012-12-07 |
| 開催地（和） | 京都大学(桂) |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. (Katsura) |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si-related Materials and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | デバイスシミュレーションによるアモルファス酸化物半導体における劣化現象の理論的解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theoretical Analysis of Degradation Phenomena in a-Oxide TFT by Device Simulation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化物半導体 / oxide semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin film transistor |
| キーワード(3)（和/英） | デバイスシミュレーション / device simulation |
| キーワード(4)（和/英） | 欠陥準位 / density of state |
| キーワード(5)（和/英） | 界面トラップ / inteface trap |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦川 哲 / Satoshi Urakawa / ウラカワ サトシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上岡 義弘 / Yoshihiro Ueoka / ウエオカ ヨシヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山崎 はるか / Haruka Yamazaki / ヤマザキ ハルカ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石河 泰明 / Yasuaki Ishikawa / イシカワ ヤスアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル |
| 第5著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-12-07 13:30:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-125 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.337 |
| ページ範囲 | pp.59-64 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-11-30 (SDM) |
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