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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-12-07 10:15 塩素系ガスによるSiCのプラズマレス・エッチング ○畑山智亮・堀 良太・田村哲也・矢野裕司・冬木 隆（奈良先端大）  SDM2012-116 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-116 |
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| 抄録 | （和） | 900℃以上の塩素ガス雰囲気中でプラズマを使わずにSiCをエッチングした。Si原子で終端された(0001)Si面ではエッチピットが形成され、SiC中の不純物濃度に依存せず転位の種類を同定した。一方、C原子で終端された(000-1)C面はSiC結晶面の中でエッチング速度が最も速く、10μm/h以上を得た。プラズマレス工程で得られたSiC結晶面の電気特性を評価し、エッチング損傷がないことを明らかにした。 |
| （英） | Silicon carbide (SiC) could be etched by a plasmaless process in chlorine based ambient over 900oC. The etch pits were formed on the Si-terminated (0001) face. On the other hand, the etching rate of the C-terminated (000-1) face was fastest in all SiC crystal faces, which could be obtained over 10μm/h. To evaluate an etching damage, Schottky contacts were fabricated on the plasmaless etched surface, and a leakage current was low under the reverse bias condition. | |
| キーワード | （和） | 炭化ケイ素 / エッチング / プラズマレス / 塩素 / 酸素 / 結晶面 / 電子線起電流 / 転位 |
| （英） | SiC / etching / plasmaless / chlorine / oxygen / crystal planes / EBIC / dislocation | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 337, SDM2012-116, pp. 7-12, 2012年12月. | |
| 資料番号 | SDM2012-116 | |
| 発行日 | 2012-11-30 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-116 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-116 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-12-07 - 2012-12-07 |
| 開催地（和） | 京都大学(桂) |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. (Katsura) |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si-related Materials and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 塩素系ガスによるSiCのプラズマレス・エッチング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Plasmaless etching of silicon carbide using chlorine based gas |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 炭化ケイ素 / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | エッチング / etching |
| キーワード(3)（和/英） | プラズマレス / plasmaless |
| キーワード(4)（和/英） | 塩素 / chlorine |
| キーワード(5)（和/英） | 酸素 / oxygen |
| キーワード(6)（和/英） | 結晶面 / crystal planes |
| キーワード(7)（和/英） | 電子線起電流 / EBIC |
| キーワード(8)（和/英） | 転位 / dislocation |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畑山 智亮 / Tomoaki Hatayama / ハタヤマ トモアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀 良太 / Ryouta Hori / ホリ リョウタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田村 哲也 / Tetsuya Tamura / タムラ テツヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢野 裕司 / Hiroshi Yano / ヤノ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 冬木 隆 / Takashi Fuyuki / フユキ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-12-07 10:15:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-116 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.337 |
| ページ範囲 | pp.7-12 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-11-30 (SDM) |
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