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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-12-07 10:45 4H-SiC（11-20）面上に形成したMOS界面へのリン導入による界面準位密度の低減効果 ○梅澤奈央・矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大）  SDM2012-118 |
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| 抄録 | （和） | これまで、POCl3アニールによりPをSiO2/4H-SiC界面に導入することで、Si面・C面ともに優れた界面準位密度の低減効果を報告してきた。そこで、高いチャネル移動度が報告されている(11-20)面(a面)に対してPOCl3アニールを行ったMOSキャパシタを作製し、界面特性の評価を行った。本研究では熱酸化膜と堆積酸化膜の2種類のゲート酸化膜に対してP導入による界面準位の低減効果を調べた。その結果、堆積酸化膜の試料にのみ界面準位密度の低減が見られたが、Si面のような大幅な界面特性の改善効果は見られなかった。 |
| （英） | We have already reported that the interface state density of MOS capacitors on n-type 4H-SiC (0001) and (000-1) faces can be greatly reduced by POCl3 annealing. In this work, we examined the effect of POCl3 annealing on the SiO2/n-type 4H-SiC (11-20) interface properties. As a gate oxide, we used thermally-grown oxides and deposited oxides. POCl3 annealing slightly reduced the interface state density on the deposited SiO2/n-type 4H-SiC (11-20) structure. | |
| キーワード | （和） | 4H-SiC / MOS / (11-20)面 / リン / POCl3アニール / / / |
| （英） | 4H-SiC / MOS / (11-20) / phosphorus / POCl3 anneal / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 337, SDM2012-118, pp. 19-23, 2012年12月. | |
| 資料番号 | SDM2012-118 | |
| 発行日 | 2012-11-30 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-118 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-12-07 - 2012-12-07 |
| 開催地（和） | 京都大学(桂) |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. (Katsura) |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si-related Materials and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 4H-SiC（11-20）面上に形成したMOS界面へのリン導入による界面準位密度の低減効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of phosphorus incorporation into SiO2/SiC interface on electrical properties of MOS capacitors fabricated on 4H-SiC(11-20) |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(3)（和/英） | (11-20)面 / (11-20) |
| キーワード(4)（和/英） | リン / phosphorus |
| キーワード(5)（和/英） | POCl3アニール / POCl3 anneal |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梅澤 奈央 / Nao Umezawa / ウメザワ ナオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢野 裕司 / Hiroshi Yano / ヤノ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畑山 智亮 / Tomoaki Hatayama / ハタヤマ トモアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 冬木 隆 / Takashi Fuyuki / フユキ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-12-07 10:45:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-118 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.337 |
| ページ範囲 | pp.19-23 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-11-30 (SDM) |
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