| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-12-07 11:15 直鎖炭化水素イオンビームによるシリコン表面照射効果の分子量依存性 ○今中浩輔・竹内光明・龍頭啓充・高岡義寛（京大）  SDM2012-120 |
|
| 抄録 | （和） | $n$-テトラデカンから生成した多原子分子イオンC$_{3}$H$_{7}^{+}$，C$_{6}$H$_{13}^{+}$及びC$_{12}$H$_{25}^{+}$をSi基板に照射し，Si基板の堆積とスパッタリングを表面段差測定で，表面炭素の化学状態をラマン分光測定で，Si基板の損傷量と基板表面及び内部の炭素量をRBS測定により評価した．多原子分子イオンの照射イオン種により照射効果に違いが見られた．表面段差測定では，C$_{3}$H$_{7}^{+}$，C$_{6}$H$_{13}^{+}$は堆積，C$_{12}$H$_{25}^{+}$はスパッタリングとなり，ラマンスペクトルでは，照射基板にはダイヤモンドライクカーボン（DLC）のスペクトルを確認した．分子量の大きなC$_{12}$H$_{25}^{+}$ではDLCなど炭素系被膜は形成されにくく，Si基板のスパッタリングや炭素の注入が生じていることを明らかにした． |
| （英） | Si substrates irradiated with polyatomic ions, which wereC$_{3}$H$_{7}^{+}$，C$_{6}$H$_{13}^{+}$\ and C$_{12}$H$_{25}^{+}$\ generated from $n$-tetradecane, were evaluated for surface chemical state by Raman spectrum spectroscopy, and for carbon amount and irradiation damage by Rutherford backscattering spectroscopy.C$_{3}$H$_{7}^{+}$\ and C$_{6}$H$_{13}^{+}$\ samples were found to be deposited with DLC.HoweverC$_{12}$H$_{25}^{+}$\ samples tend to be more clearely sputtered at high acceleration voltage. | |
| キーワード | （和） | イオン照射 / シリコン / 多原子分子イオンビーム / テトラデカン / / / / |
| （英） | Ion irradiation / silicon / polyatomic / ion beam / teteradecane / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 337, SDM2012-120, pp. 31-35, 2012年12月. | |
| 資料番号 | SDM2012-120 | |
| 発行日 | 2012-11-30 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-120 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-12-07 - 2012-12-07 |
| 開催地（和） | 京都大学(桂) |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. (Katsura) |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si-related Materials and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 直鎖炭化水素イオンビームによるシリコン表面照射効果の分子量依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Molecular mass dependence of irradiation effects on silicon surface by normal hydrocarbon ion beams |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | イオン照射 / Ion irradiation |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン / silicon |
| キーワード(3)（和/英） | 多原子分子イオンビーム / polyatomic |
| キーワード(4)（和/英） | テトラデカン / ion beam |
| キーワード(5)（和/英） | / teteradecane |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今中 浩輔 / Kosuke Imanaka / イマナカ コウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 光明 / Mitsuaki Takeuchi / タケウチ ミツアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 龍頭 啓充 / Hiromichi Ryuto / リュウトウ ヒロミチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高岡 義寛 / Gikan H. Takaoka / タカオカ ギカン |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-12-07 11:15:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-120 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.337 |
| ページ範囲 | pp.31-35 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-11-30 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]