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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-12-17 15:55 ［ポスター講演］相変化メモリの環境温度依存性評価 ○江上 徹・上口 光・竹内 健（中大）  ICD2012-107 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2012-107 |
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| 抄録 | （和） | 相変化メモリは高速で書込みが可能で多値化や微細化に向いている次世代不揮発性メモリの一つである．材料にはカルコゲナイドを使用しており，アモルファス相と結晶相の間で起こる相変化による抵抗値の変化を情報として記録する．しかし，熱によって生じる相変化を利用しているため，周囲の温度に影響を受ける可能性がある．そこで本研究では，環境温度による抵抗値の変化や書込み時の影響などを検証する．25℃の室温時に比べて85℃の高温時には，RESET抵抗値が約85%，SET抵抗値が約70%程度低くなることが分かった．また，高温にするとSET動作は容易になるが，一方で，RESET動作は困難になることを確認した． |
| （英） | Phase Change Random Access Memory (PRAM) is considered as one of the most promising candidates for the next generation non-volatile memory, due to high speed write, high density data storage and scaling capability. Chalcogenide is used for a PRAM cell, and the data is stored as the difference of resistances between crystalline and amorphous phases. However, the resistance value of PRAM can be changed with temperature condition. Therefore, in this paper, the temperature dependence of PRAM is investigated. At the high temperature of 85 ºC, the resistance decreases 70% and 85% for SET and RESET states, respectively, compared with 25 ºC. In addition, the SET operation becomes easier as the temperature rises, while the RESET condition requires high pulse voltage. | |
| キーワード | （和） | 相変化メモリ / 結晶 / アモルファス / / / / / |
| （英） | PRAM / crystalline / amorphous / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-107, pp. 65-65, 2012年12月. | |
| 資料番号 | ICD2012-107 | |
| 発行日 | 2012-12-10 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2012-107 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2012-107 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2012-12-17 - 2012-12-18 |
| 開催地（和） | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール |
| 開催地（英） | Tokyo Tech Front |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2012-12-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 相変化メモリの環境温度依存性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Temperature Dependence of Phase Change Random Access Memory (PRAM) |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 相変化メモリ / PRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 結晶 / crystalline |
| キーワード(3)（和/英） | アモルファス / amorphous |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江上 徹 / Toru Egami / エガミ トオル |
| 第1著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上口 光 / Koh Johguchi / ジョウグチ コウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第3著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-12-17 15:55:00 |
| 発表時間 | 120分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2012-107 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.365 |
| ページ範囲 | p.65 |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2012-12-10 (ICD) |
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