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| 講演名 | 2012-12-17 15:55 ［ポスター講演］局所電子注入非対称パスゲートトランジスタを有する6T-SRAMのためのしきい値電圧付近ワード線電圧注入法によるしきい値電圧ばらつきの自己収束 ○小林大介・宮地幸祐（中大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（中大）  ICD2012-94 |
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| 抄録 | （和） | 6T-SRAMにおいて，しきい値電圧（VTH）のばらつきにより低下する読み出しマージンを改善するため，パスゲートトランジスタ（PG Tr.）へ局所的に電子注入を行う手法が存在する．この手法はSRAMセルの片方のPG Tr.に電子を注入することによって非対称PG Tr.を形成し，読み出し時のVTHを上昇させるものである．本論文では，この手法を用いた非対称PG Tr.のVTHのシフト量の統計的なばらつきについて報告する．局所電子注入を行う際にワード線電圧をPG Tr.のVTH付近にすることで注入前のVTHが高いもののシフトを避け，それの低いものをよりシフトさせることができることが判明した．これによりPG Tr.のVTHのばらつきが自己収束されることを確認した． |
| （英） | In order to repair the reduction of read margin by the variation of threshold voltage VTH in 6T-SRAM, a unique scheme that locally injects electrons to a pass gate transistor (PG Tr.) has been demonstrated. This paper reports the statistical threshold voltage VTH shift variation of asymmetric PG Tr. of this scheme. Near VTH word-line (WL) voltage injection self-convergence scheme is proposed to avoid PG Tr. VTH (VTHPG) shift in the high VTHPG cell and enhance in the low VTHPG cell. The self-convergence of the variation in VTHPG is confirmed by this scheme. | |
| キーワード | （和） | 6T-SRAM / 非対称パスゲートトランジスタ / ランダムVTHばらつき / 電子注入SRAM / / / / |
| （英） | 6T-SRAM / asymmetric pass gate transistor / random VTH variation / hot electron injection / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-94, pp. 31-31, 2012年12月. | |
| 資料番号 | ICD2012-94 | |
| 発行日 | 2012-12-10 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2012-94 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2012-12-17 - 2012-12-18 |
| 開催地（和） | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール |
| 開催地（英） | Tokyo Tech Front |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2012-12-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 局所電子注入非対称パスゲートトランジスタを有する6T-SRAMのためのしきい値電圧付近ワード線電圧注入法によるしきい値電圧ばらつきの自己収束 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Near Threshold Voltage Word-Line Voltage Injection Scheme for Self-Convergence of Threshold Voltage Variation in Local Electron Injected Asymmetric Pass Gate Transistor 6T-SRAM |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 6T-SRAM / 6T-SRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 非対称パスゲートトランジスタ / asymmetric pass gate transistor |
| キーワード(3)（和/英） | ランダムVTHばらつき / random VTH variation |
| キーワード(4)（和/英） | 電子注入SRAM / hot electron injection |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 大介 / Daisuke Kobayashi / コバヤシ ダイスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮地 幸祐 / Kousuke Miyaji / ミヤジ コウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮野 信治 / Shinji Miyano / ミヤノ シンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 半導体理工学研究センター (略称： 半導体理工学研究センター) Semiconductor Technology Academic Research Center (略称： STARC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第4著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-12-17 15:55:00 |
| 発表時間 | 120分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2012-94 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.365 |
| ページ範囲 | p.31 |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2012-12-10 (ICD) |
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