| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-12-18 10:05 高Al組成AlGaAsを用いたTHz-QCLsの高温動作特性改善 ○林 宗澤・平山秀樹（理研）  ED2012-103 |
|
| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | Terahertz quantum cascade lasers (THz QCLs) are unipolar intersubband transition semiconductor THz source with narrow linewidth and high output power. They have been earnest to operate near room temperature in order to realize compact size THz applications without cooling system. Current limited maximum operation temperature (Tmax) 199.5 K is reported by a state-of-the-art longitudinal optical (LO) phonon depopulation scheme GaAs/Al0.15Ga0.85As structure. Here we propose the operation temperature performance improvement by utilizing high Al composition AlGaAs in THz QCLs and succsefully increase the Tmax of a 4-well resonant tunneling (RT) LO phonon scheme THz QCLs about 10 K. The deep well potential and increase total LO phonon energy will increase the design freedom and improve the thermal performances. It have the advantage of (1) Reduce Jth at high temperature operation region and increase device characteristic temperature (T0). Because higher LO phonon energy is expected to reduce the non-radiative leakage via LO-phonon scattering between two lasing levels. (2) Reduce thermal backfilling from ground level. Both are expected to reduce Jth at higher temperature. The high Al composition AlGaAs structure is one of the suitable designs for approaching the high temperature operation THz QCLs. |
|
| キーワード | （和） | テラヘルツ / 量子カスケードレーザー / / / / / / |
| （英） | Terahertz / Quantum Cascade Laser / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 364, ED2012-103, pp. 57-61, 2012年12月. | |
| 資料番号 | ED2012-103 | |
| 発行日 | 2012-12-10 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-103 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2012-12-17 - 2012-12-18 |
| 開催地（和） | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム |
| 開催地（英） | Tohoku University |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter wave / Terahertz devices and systems |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-12-ED |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | 高Al組成AlGaAsを用いたTHz-QCLsの高温動作特性改善 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Operation temperature performance improvement by utilizing high Al composition AlGaAs in THz QCLs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | テラヘルツ / Terahertz |
| キーワード(2)（和/英） | 量子カスケードレーザー / Quantum Cascade Laser |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 宗澤 / Tsung-Tse Lin / リン ソウタク |
| 第1著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研) RIKEN (略称： RIKEN) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平山 秀樹 / Hideki Hirayama / ヒラヤマ ヒデキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研) RIKEN (略称： RIKEN) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-12-18 10:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2012-103 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.364 |
| ページ範囲 | pp.57-61 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-12-10 (ED) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]