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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-01-18 10:50 2.6GHz帯40W広帯域ドハティアンプの開発 ○由村典宏・渡辺直樹・出口博昭・宇井範彦（住友電工デバイスイノベーション）  ED2012-120 MW2012-150 |
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| 抄録 | （和） | 携帯電話基地局用に2.6GHz帯40W広帯域ドハティアンプを開発した．本ドハティアンプは105W級の窒化ガリウム(GaN)をメインアンプに，160W級のGaNをピークアンプに用いて構成され，2.5GHz-2.7GHzの200MHz帯域で飽和出力電力54.3dBm(269W)以上，バックオフ時のドレイン効率45%以上を達成したので報告する． |
| （英） | A 40W average output power asymmetric Doherty power amplifier (PA) for 2.6GHz band was developed using broadband inverse class F GaN HEMTs. The Doherty PA was successfully designed for 2.5GHz-2.7GHz using simple small signal analysis with optimum load impedance obtained by load-pull measurement. To the main and peak amplifiers the saturated power of 105W and 160W GaN HEMTs were applied, respectively. The Doherty PA exhibited more than 54.3dBm (269W) saturated power and more than 45% drain efficiency with -52.5dBc ACLR at 8dB back-off point with 2-carrier W-CDMA signal over the wide frequency range of 2.5GHz-2.7GHz corrected by the digital pre-distortion (DPD) system. These excellent performances promise to be a good solution for 2.6GHz multi-band/multi-standard base-station transmitter system (BTS) such as FDD-LTE, TDD-LTE and WiMAX. | |
| キーワード | （和） | GaN HEMT / 広帯域 / 高出力 / ドハティアンプ / / / / |
| （英） | GaN HEMT / broadband / high power / Doherty amplifier / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 381, MW2012-150, pp. 45-48, 2013年1月. | |
| 資料番号 | MW2012-150 | |
| 発行日 | 2013-01-10 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-120 MW2012-150 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2013-01-17 - 2013-01-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC, High-speed and high-frequency devices, Microwave Technologies, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2013-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 2.6GHz帯40W広帯域ドハティアンプの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 2.6GHz Broadband 40W GaN HEMT Doherty Amplifier |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 広帯域 / broadband |
| キーワード(3)（和/英） | 高出力 / high power |
| キーワード(4)（和/英） | ドハティアンプ / Doherty amplifier |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 由村 典宏 / Norihiro Yoshimura / ヨシムラ ノリヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 住友電工デバイスイノベーション (略称： 住友電工デバイスイノベーション) Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (略称： SEDI) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡辺 直樹 / Naoki Watanabe / ワタナベ ナオキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 住友電工デバイスイノベーション (略称： 住友電工デバイスイノベーション) Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (略称： SEDI) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 出口 博昭 / Hiroaki Deguchi / デグチ ヒロアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 住友電工デバイスイノベーション (略称： 住友電工デバイスイノベーション) Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (略称： SEDI) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宇井 範彦 / Norihiko Ui / ウイ ノリヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 住友電工デバイスイノベーション (略称： 住友電工デバイスイノベーション) Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (略称： SEDI) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-01-18 10:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | ED2012-120, MW2012-150 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.380(ED), no.381(MW) |
| ページ範囲 | pp.45-48 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-01-10 (ED, MW) |
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