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| 講演名 | 2013-01-18 13:00 Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作 ○宇治田信二・森田竜夫・梅田英和・木下雄介・田村聡之・按田義治・上田哲三・田中 毅（パナソニック）  ED2012-122 MW2012-152 |
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| 抄録 | （和） | 低電圧DC-DCコンバータ用途として、Siショットキーバリアダイオード（SBD）を集積化したノーマリオフGaNトランジスタを提案した。AlGaN/GaNへテロ接合を結晶成長するSi基板内にSBDを形成し、これを同Si基板上に形成したノーマリオフ方GaN-GIT（Gate Injection Transistor）とビアホールを介して接続した。Si-SBDは、GaN-GITのダイオードモードよりも低い順方向電圧を有するため、DC-DCコンバータにおけるローサイド側トランジスタ側に流れる還流電流が原因で生じるデッドタイム損失を低減することが出来る。GaN-GITのゲート長を0.5μmと短縮し、さらにSi-SBDを集積化したデバイスを作製し、これをDC-DCコンバータに適用した。この結果12Vを1.3VにDC変換した場合、2MHzにおいて89％の高効率動作を実現した。 |
| （英） | We present a novel GaN-based normally-off transistor with an integrated Si Schottky barrier diode (SBD) for low voltage DC-DC converters. The integrated SBD is formed by the Si substrate for the epitaxial growth of AlGaN/GaN hetero-structure, which is connected to the normally-off GaN Gate Injection Transistor (GIT) over it with via-holes. The diode can flow the reverse current in the conversion operation with lower forward voltage than that of the lateral GaN transistor enabling lower operating loss. A DC-DC converter for the conversion from 12V down to 1.3V using the integrated devices with the reduced gate length down to 0.5m exhibits a high peak efficiency of 89% at 2MHz demonstrating the promising potential of GaN devices for the application. | |
| キーワード | （和） | GaN / SBD / DCDCコンバータ / ノーマリオフ / / / / |
| （英） | GaN / Si-SBD / DC-DC converter / normally-off / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 380, ED2012-122, pp. 53-56, 2013年1月. | |
| 資料番号 | ED2012-122 | |
| 発行日 | 2013-01-10 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-122 MW2012-152 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2013-01-17 - 2013-01-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC, High-speed and high-frequency devices, Microwave Technologies, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2013-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaN Gate Injection Transistor with Integrated Si Schottky Barrier Diode for High Efficient DC-DC Converters |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | SBD / Si-SBD |
| キーワード(3)（和/英） | DCDCコンバータ / DC-DC converter |
| キーワード(4)（和/英） | ノーマリオフ / normally-off |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宇治田 信二 / Shinji Ujita / ウジタ シンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森田 竜夫 / Tatsuo Morita / モリタ タツオ |
| 第2著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梅田 英和 / Hidekazu Umeda / ウメダ ヒデカズ |
| 第3著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木下 雄介 / Yusuke Kinoshita / キノシタ ユウスケ |
| 第4著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田村 聡之 / Satoshi Tamura / タムラ サトシ |
| 第5著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 按田 義治 / Yoshiharu Anda / アンダ ヨシハル |
| 第6著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 哲三 / Tetsuzo Ueda / ウエダ テツゾウ |
| 第7著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 毅 / Tsuyoshi Tanaka / タナカ ツヨシ |
| 第8著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-01-18 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2012-122, MW2012-152 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.380(ED), no.381(MW) |
| ページ範囲 | pp.53-56 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-01-10 (ED, MW) |
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