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講演抄録/キーワード
講演名 2013-01-25 10:15
高耐圧パワーデバイス用スケールダウン・テストベッドの開発
松吉 峻九工大)・附田正則国際東アジア研究センター)・平井秀敏大村一郎九工大EE2012-46 CPM2012-168 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2012-168
抄録 (和) 高耐圧パワーデバイス評価用テストベッドを開発した。本テストベッドは超低寄生インダクタンスを実現する専用デバイスパッケージとアルミブロック等により構成され、理想的なスイッチング特性評価を可能とした。本テストベッドをパワーデバイスの極限性能の見極め、コンパクトモデルの構築、ゲート駆動の高度化などで活用していく。 
(英) The testbed for high voltage power device evaluation was developed. This testbed is constituted by special device package, aluminum block, etc., and realizes a super-low stray inductance. Moreover, ideal switching property evaluation became possible by using this testbed. This testbed is used for measurement of the ultimate performance of a power device, construction of a compact model and the advancement of the gate drive.
キーワード (和) テストベッド / 圧接パッケージ / 高耐圧パワーデバイス / 寄生インダクタンス / 寄生容量 / / /  
(英) testbed / press-pack / high voltage power device / stray inductance / stray capacitance / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 396, EE2012-46, pp. 105-109, 2013年1月.
資料番号 EE2012-46 
発行日 2013-01-17 (EE, CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EE2012-46 CPM2012-168 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2012-168

研究会情報
研究会 EE CPM  
開催期間 2013-01-24 - 2013-01-25 
開催地(和) 阿蘇ファームランド 
開催地(英)  
テーマ(和) エネルギー変換技術,電池関連技術,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EE 
会議コード 2013-01-EE-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 高耐圧パワーデバイス用スケールダウン・テストベッドの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Development of scale down testbed for high voltage power device 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) テストベッド / testbed  
キーワード(2)(和/英) 圧接パッケージ / press-pack  
キーワード(3)(和/英) 高耐圧パワーデバイス / high voltage power device  
キーワード(4)(和/英) 寄生インダクタンス / stray inductance  
キーワード(5)(和/英) 寄生容量 / stray capacitance  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 松吉 峻 / Takashi Matsuyoshi / マツヨシ タカシ
第1著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Inst. of Technology (略称: KIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 附田 正則 / Msanori Tsukuda / ツクダ マサノリ
第2著者 所属(和/英) 国際東アジア研究センター (略称: 国際東アジア研究センター)
The Int'l Center for the Study of East Asian dev./Kyushu Inst. of Technology (略称: ICSEAD/KIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 平井 秀敏 / Hidetoshi Hirai / ヒライ ヒデトシ
第3著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Inst. of Technology (略称: KIT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 大村 一郎 / Ichiro Omura / オオムラ イチロウ
第4著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Inst. of Technology (略称: KIT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-01-25 10:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 EE 
資料番号 EE2012-46, CPM2012-168 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.396(EE), no.397(CPM) 
ページ範囲 pp.105-109 
ページ数
発行日 2013-01-17 (EE, CPM) 


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