| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2013-01-25 09:46
全有機自己整合トランジスタ ○村本龍法・中 茂樹・岡田裕之(富山大) EID2012-23 |
| 抄録 |
(和) |
背面露光法を用いた全有機自己整合トランジスタの検討を行った.ゲート電極をマスクとし,ソースドレイン電極に半透過性の銀ナノ粒子膜を使用することでリフトオフ無しで自己整合化を行った.銀ナノ粒子膜の透過率から,膜厚400 Åで20%の透過率を得た.背面露光の時間を変化させることで,フォトレジストのオーバーラップ量が増加し,その最適化で,ゲート電極に対しソースドレイン電極がオーバーラップする構造が作製できた.そのオーバーラップ量は2 μmと見積られた.得られたトランジスタ特性は,各々,チャネル長,チャネル幅が,10,1,500 μmで,移動度 0.012 cm2/Vs,しきい電圧12 V,オンオフ比1.5×103を得た. |
| (英) |
All-organic self-aligned field-effect transistors using the back-surface exposure method were investigated. For device fabrication, where, gate electrode as a photomask, source and drain electrodes of thin silver nanoparticle was patterned and self-alignment structure was fabricated. Obtained transmittance of 20% at film thickness of 400 Å for silver nanoparticle. Overlap of gate and pattern of photoresist was increased with the back-surface exposure time and obtained overlap length of the gate-source and -drain electrodes was 2 m. For device characteristics, transistor operation of evaluated field effect mobility, threshold and on-off ratio were 0.012 cm2/Vs, 12 V, and 1.5×103, respectively, were obtained. |
| キーワード |
(和) |
有機トランジスタ / ペンタセン / 自己整合 / 溶液プロセス / / / / |
| (英) |
organic FET / pentacene / self-alignment / solution-process / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 409, EID2012-23, pp. 61-64, 2013年1月. |
| 資料番号 |
EID2012-23 |
| 発行日 |
2013-01-17 (EID) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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EID2012-23 |