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講演抄録/キーワード
講演名 2013-01-25 10:42
TAOS-TFT LCDにおける再充電効果を低減する新規画素設計法
川野英郎 EID2012-26
抄録 (和) 従来のアモルファスシリコンに代わって電界効果移動度が大きい酸化物半導体を用いたTFTを液晶表示装置に適用すると再充電効果が助長され, 画素電極電位の面内不均一性に起因したフリッカーが増大するなどの表示品位の低下を招く. そこで, 最適対向電極電位の面内格差を再充電効果の指標として定式化し, この定式に基づいて再充電効果によるフリッカーを許容限度以下に抑制するための新たな画素設計手法の導出を行った. 
(英) When TFTs using oxide semiconductor which has big field effect mobility are applied to LCDs in place of conventional amorphous silicon, the recharge effect is promoted and invites a decline of the screen quality
such as the flicker increase caused by the inhomogeneity in the screen of pixel electrode potential. Therefore, I formulated difference in the screen of the optimal counter electrode potential as an index of the recharge effect and derived a novel pixel design method to suppress the flicker caused by the recharge effect in lower than maximum permissible level based on this formula set.
キーワード (和) 酸化物半導体 / 再充電効果 / 移動度 / フリッカー / 突き抜け電圧 / 対向電極電位 / /  
(英) TAOS / recharge effect / mobility / flicker / field through voltage / counter electrode potential / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 409, EID2012-26, pp. 89-92, 2013年1月.
資料番号 EID2012-26 
発行日 2013-01-17 (EID) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード EID2012-26

研究会情報
研究会 ITE-IDY EID IEE-EDD  
開催期間 2013-01-24 - 2013-01-25 
開催地(和) 静岡大学 
開催地(英) Shizuoka Univ. 
テーマ(和) 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会(照明学会固体光源分科会,SID日本支部共催) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EID 
会議コード 2013-01-IDY-EID-EDD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) TAOS-TFT LCDにおける再充電効果を低減する新規画素設計法 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Novel pixel design method for reducing recharge effect in LCD with TAOS-TFT 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 酸化物半導体 / TAOS  
キーワード(2)(和/英) 再充電効果 / recharge effect  
キーワード(3)(和/英) 移動度 / mobility  
キーワード(4)(和/英) フリッカー / flicker  
キーワード(5)(和/英) 突き抜け電圧 / field through voltage  
キーワード(6)(和/英) 対向電極電位 / counter electrode potential  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 川野 英郎 / Hideo Kawano / カワノ ヒデオ
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-01-25 10:42:00 
発表時間 8分 
申込先研究会 EID 
資料番号 EID2012-26 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.409 
ページ範囲 pp.89-92 
ページ数
発行日 2013-01-17 (EID) 


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