| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2013-01-25 10:42
TAOS-TFT LCDにおける再充電効果を低減する新規画素設計法 ○川野英郎 EID2012-26 |
| 抄録 |
(和) |
従来のアモルファスシリコンに代わって電界効果移動度が大きい酸化物半導体を用いたTFTを液晶表示装置に適用すると再充電効果が助長され, 画素電極電位の面内不均一性に起因したフリッカーが増大するなどの表示品位の低下を招く. そこで, 最適対向電極電位の面内格差を再充電効果の指標として定式化し, この定式に基づいて再充電効果によるフリッカーを許容限度以下に抑制するための新たな画素設計手法の導出を行った. |
| (英) |
When TFTs using oxide semiconductor which has big field effect mobility are applied to LCDs in place of conventional amorphous silicon, the recharge effect is promoted and invites a decline of the screen quality
such as the flicker increase caused by the inhomogeneity in the screen of pixel electrode potential. Therefore, I formulated difference in the screen of the optimal counter electrode potential as an index of the recharge effect and derived a novel pixel design method to suppress the flicker caused by the recharge effect in lower than maximum permissible level based on this formula set. |
| キーワード |
(和) |
酸化物半導体 / 再充電効果 / 移動度 / フリッカー / 突き抜け電圧 / 対向電極電位 / / |
| (英) |
TAOS / recharge effect / mobility / flicker / field through voltage / counter electrode potential / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 409, EID2012-26, pp. 89-92, 2013年1月. |
| 資料番号 |
EID2012-26 |
| 発行日 |
2013-01-17 (EID) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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EID2012-26 |