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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-02-01 11:40 電圧センスアンプを用いたReRAMの多値化のための読み出し・書き込み回路 ○伊部泰貴・中山和也・北川章夫（金沢大）  ICD2012-126 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2012-126 |
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| 抄録 | （和） | ReRAMの多値化に向け，既存の電圧センスアンプを利用した読み出し回路を提案する．ReRAM素子のビット線とグランドの間に直列抵抗を挿入し，直列抵抗に加わる電圧とリファレンス電圧を比較する．この回路方式では，複数のセンスアンプとリファレンス電圧を用いることにより，ReRAMに多値記録された抵抗を1サイクルで読み出すことが可能となる．また，書き込み動作において，読み出した結果を用いて多重書き込みを自動で回避し，無駄なエネルギーを削減することも出来る． |
| （英） | For multi-level ReRAM memory, a novel read circuit using a VSA (Voltage Sense Amplifier) is proposed. This circuit compares readout voltage to reference voltage by auxiliary serial resistance between bit line and ground. In this circuit, it becomes possible to read multi-level resistance of ReRAM by using multiple sense amplifiers for 1 cycle. For write operation, this circuit is able to evade the wasteful overwrite operation to reduce the wasteful energy. | |
| キーワード | （和） | 不揮発性メモリ / 抵抗変化メモリ / センスアンプ / 読み出し回路 / 抵抗制御 / 多値メモリ / / |
| （英） | Non-volatile memory / ReRAM / Sense amplifier / Read circuit / Resistance control / Multi-level memory / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 425, ICD2012-126, pp. 45-49, 2013年1月. | |
| 資料番号 | ICD2012-126 | |
| 発行日 | 2013-01-24 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2012-126 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2012-126 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD IPSJ-ARC |
| 開催期間 | 2013-01-31 - 2013-02-01 |
| 開催地（和） | 早稲田大学グリーン・コンピューティング・システム研究開発センター |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 集積回路とアーキテクチャの協創 ～新しいアプリケーション創造に向けたアーキテクチャ、回路技術の貢献～ |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2013-01-ICD-ARC |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 電圧センスアンプを用いたReRAMの多値化のための読み出し・書き込み回路 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Programming Circuit of Multi-level ReRAM Utilizing Voltage Sense-Amplifier |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 不揮発性メモリ / Non-volatile memory |
| キーワード(2)（和/英） | 抵抗変化メモリ / ReRAM |
| キーワード(3)（和/英） | センスアンプ / Sense amplifier |
| キーワード(4)（和/英） | 読み出し回路 / Read circuit |
| キーワード(5)（和/英） | 抵抗制御 / Resistance control |
| キーワード(6)（和/英） | 多値メモリ / Multi-level memory |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊部 泰貴 / Taiki Ibe / イベ タイキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢大学 (略称： 金沢大) Kanazawa University (略称： Kanazawa Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中山 和也 / Kazuya Nakayama / ナカヤマ カズヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 金沢大学 (略称： 金沢大) Kanazawa University (略称： Kanazawa Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北川 章夫 / Akio Kitagawa / キタガワ アキオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢大学 (略称： 金沢大) Kanazawa University (略称： Kanazawa Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-02-01 11:40:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2012-126 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.425 |
| ページ範囲 | pp.45-49 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2013-01-24 (ICD) |
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