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講演抄録/キーワード
講演名 2013-02-04 13:50
LSI配線構造中のCu/絶縁膜界面の結晶粒レベル局所強度に対応するサブミクロン機械工学への挑戦
神谷庄司佐藤 尚名工大)・大宮正毅慶大)・宍戸信之小岩康三西田政弘名工大)・中村友二鈴木貴志富士通研)・野久尾毅鈴木俊明日本電子専門学校SDM2012-153 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-153
抄録 (和) 構造物の対破壊信頼性確保は機械工学の基本的使命の一つである。エレクトロニクスデバイスもその例外ではないが、構造の3次元化とナノメートルオーダーへ迫る寸法の小型化のトレンドにあって、LSI開発の現場では幾多の努力にもかかわらず機械的な破壊による不良が後を絶たない。部材の強度情報を組合せて構造の強度を設計するという機械工学の常識が、ここではナノメートルスケールでの破壊強度の把握という新しい試練にさらされている。この現状を打破すべく、配線構造原寸レベルの局所強度に対応する新しい機械強度試験装置の開発と評価方法の確立を目指したプロジェクトが進行中である。ここではこのプロジェクトにより得られた新しい知見、すなわち結晶粒のスケールと同等以下の寸法において金属はもはや均一な材料ではなくそれ自体が構造であるという事実と、これを踏まえた破壊確率の定量化の可能性とを紹介する。 
(英) One of serious problems for LSI is the weakness of interfaces in Cu/dielectric systems along with the trend of further miniaturization. Although adhesion strength of those interfaces is previously evaluated by macroscopic tests such as four point bending, the local interface adhesion strength in recent LSI with very fine structures is influenced by the local microstructure of Cu lines. This is because that crystal orientation, high angle grain boundaries and twins influence on the local deformation. In this study, novel evaluation method for the local adhesion interface-strength of the Cu/dielectric interface on the sub-micron Cu damascene is proposed.
キーワード (和) LSI / 銅ダマシン配線 / 銅/絶縁層界面 / 局所付着強度 / 結晶方位 / 粒界 / 塑性変形 /  
(英) LSI circuit / Cu damascene / Cu/dielectric interface / Local adhesion strength / crystal orientation / grain boundary / plastic deformation /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 427, SDM2012-153, pp. 15-20, 2013年2月.
資料番号 SDM2012-153 
発行日 2013-01-28 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2012-153 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-153

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2013-02-04 - 2013-02-04 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 配線・実装技術と関連材料技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2013-02-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) LSI配線構造中のCu/絶縁膜界面の結晶粒レベル局所強度に対応するサブミクロン機械工学への挑戦 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Nano-ordered Evaluation for Local Distribution of Adhesion Strength Between Cu/Dielectric in LSI Circuit 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) LSI / LSI circuit  
キーワード(2)(和/英) 銅ダマシン配線 / Cu damascene  
キーワード(3)(和/英) 銅/絶縁層界面 / Cu/dielectric interface  
キーワード(4)(和/英) 局所付着強度 / Local adhesion strength  
キーワード(5)(和/英) 結晶方位 / crystal orientation  
キーワード(6)(和/英) 粒界 / grain boundary  
キーワード(7)(和/英) 塑性変形 / plastic deformation  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 神谷 庄司 / S.Kamiya /
第1著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Inst. of Tech. (略称: Nagoya Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 尚 / Hisashi Sato /
第2著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Inst. of Tech. (略称: Nagoya Inst. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 大宮 正毅 / Masaki Omiya /
第3著者 所属(和/英) 慶應大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 宍戸 信之 / Nobuyuki Shishido /
第4著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Inst. of Tech. (略称: Nagoya Inst. of Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 小岩 康三 / Kozo Koiwa /
第5著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Inst. of Tech. (略称: Nagoya Inst. of Tech.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 西田 政弘 / Masahiro Nishida /
第6著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Inst. of Tech. (略称: Nagoya Inst. of Tech.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 友二 / Tomoji Nakamura /
第7著者 所属(和/英) 富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories (略称: Fujitsu Labs)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 貴志 / Takashi Suzuki /
第8著者 所属(和/英) 富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories (略称: Fujitsu Labs)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 野久 尾毅 / Takeshi Nokuo /
第9著者 所属(和/英) 日本電子株式会社 (略称: 日本電子専門学校)
JEOL (略称: JEOL)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 俊明 / Toshiaki Suzuki /
第10著者 所属(和/英) 日本電子株式会社 (略称: 日本電子専門学校)
JEOL (略称: JEOL)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-02-04 13:50:00 
発表時間 40分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2012-153 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.427 
ページ範囲 pp.15-20 
ページ数
発行日 2013-01-28 (SDM) 


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