講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-02-15 13:35
接点内を流れる電流の可視化および薄膜が集中抵抗に与える影響 ○澤田 滋・筑地茂樹(三重大)・島田茂樹(住友電工)・玉井輝雄(エルコンテック)・服部康弘(オートネットワーク技研) R2012-72 EMD2012-103 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2012-103 |
抄録 |
(和) |
電気接点内部における電流集中の挙動については、ラプラス方程式に基づく理論式や静電場解析による結果が報告されている。しかし、実際の電流集中の様子を観察した例は少ないため、本研究では接点内の電流集中挙動を、発光ダイオード用ウエハを用いることで観察を行った。その結果から、酸化被膜が介在した接点の場合、接触面積が小さい場合は、被膜抵抗支配となり電流は接触面全面に流れ、接触面積が大きくなると、集中抵抗支配となり接触面の外周部分に主に電流が流れることが得られた。更に、接触抵抗測定結果および電場解析の結果により、基材の厚みが薄くなると集中抵抗は増大し、加えて、電極位置によっても接触抵抗が変化することが明らかとなった。 |
(英) |
The mathematical solutions and electrical field analysis results of current density distribution in electric contact have been reported. And there are many reports which were discussed about constriction resistance of contact spots experimentally, but there are fewer reports which are discussed about current density distribution in electric contact experimentally. Thus, the direct observation of current density distribution was performed used by light emission diode wafer. As results, in case of the contact with oxide film, when contact area is large, constriction resistance is dominant and the current mainly flows at outer circumference of contact area. Meanwhile when contact area is small, film resistance is dominant and the current is distributed uniformly in contact. Moreover, comparing resistance results with electrical field analysis, the constriction resistance increases as decreasing wafer thickness and probe position is also influence on constriction resistance. |
キーワード |
(和) |
電気接点 / 集中抵抗 / 電流集中 / 発光ダイオード / 電流密度分布 / 薄膜効果 / 静電場解析 / |
(英) |
Electrical contact / Constriction resistance / Current constriction / Light emission diode / Current density distribution / thin film effect / Electrical Field Analysis / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 432, EMD2012-103, pp. 1-6, 2013年2月. |
資料番号 |
EMD2012-103 |
発行日 |
2013-02-08 (R, EMD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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