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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-02-27 13:30 ［招待講演］グラフェンにおけるバリスティック伝導・光電圧効果 ○町田友樹（東大/JST）・増渕 覚・大貫雅広・井口和之・森川 生・山口健洋・荒井美穂（東大）・渡邊賢司・谷口 尚（物質・材料研究機構）  ED2012-128 SDM2012-157 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-128 SDM2012-157 |
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| 抄録 | （和） | 高移動度グラフェン/h-BNのバリスティック伝導に起因する磁気抵抗効果を調べた．バリスティックに伝導するディラックフェルミオンが伝導チャネル端で拡散的に散乱されることにより生じる磁気抵抗のピーク構造を観測した．磁気抵抗ピークにおけるサイクロトロン半径と伝導チャネル幅の整合係数は半導体二次元電子系とは異なる値を取り，グラフェン特有の端散乱の存在を示唆している．グラフェン/h-BNにおけるサイクロトロン共鳴により生じる光起電力効果についても議論する． |
| （英） | We study magnetotransport in ballistic graphene mesoscopic wires on hexagonal boron nitride (h-BN). We observed anomalous magnetoresistance curves with characteristic peak structures where the peak field scales with the ratio of cyclotron radius and wire width. The obtained commensurability ratio contrasts with that in semiconductor two-dimensional electron gas systems. In addition, the photovoltaic effect due to the cyclotron resonance in graphene/h-BN is presented. | |
| キーワード | （和） | グラフェン / バリスティック伝導 / 光起電力 / 窒化ホウ素 / サイクロトロン共鳴 / / / |
| （英） | Graphene / Ballistic transport / Photovoltaic effect / Boron nitride / Cyclotron resonance / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 446, SDM2012-157, pp. 1-5, 2013年2月. | |
| 資料番号 | SDM2012-157 | |
| 発行日 | 2013-02-20 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-128 SDM2012-157 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-128 SDM2012-157 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2013-02-27 - 2013-02-28 |
| 開催地（和） | 北海道大学（百年記念会館） |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ. |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional nanodevices and related technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-02-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | グラフェンにおけるバリスティック伝導・光電圧効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ballistic transport and photovoltaic effect in graphene/h-BN |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | グラフェン / Graphene |
| キーワード(2)（和/英） | バリスティック伝導 / Ballistic transport |
| キーワード(3)（和/英） | 光起電力 / Photovoltaic effect |
| キーワード(4)（和/英） | 窒化ホウ素 / Boron nitride |
| キーワード(5)（和/英） | サイクロトロン共鳴 / Cyclotron resonance |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 町田 友樹 / Tomoki Machida / マチダ トモキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学/JSTさきがけ (略称： 東大/JST) University of Tokyo/JST (略称： Univ. of Tokyo/JST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 増渕 覚 / Satoru Masubuchi / マスブチ サトル |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大貫 雅広 / Masahiro Onuki / オオヌキ マサヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井口 和之 / Kazuyuki Iguchi / イグチ カズユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森川 生 / Sei Morikawa / モリカワ セイ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 健洋 / Takehiro Yamaguchi / ヤマグチ タケヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒井 美穂 / Miho Arai / アライ ミホ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邊 賢司 / Kenji Watanabe / ワタナベ ケンジ |
| 第8著者 所属（和/英） | 物質材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Material Science (略称： NIMS) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷口 尚 / Takashi Taniguchi / タニグチ タカシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 物質材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Material Science (略称： NIMS) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-02-27 13:30:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2012-128, SDM2012-157 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.445(ED), no.446(SDM) |
| ページ範囲 | pp.1-5 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2013-02-20 (ED, SDM) |
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