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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-02-27 16:55 Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl2O3/InSb MOSFET ○前澤宏一・伊藤泰平・角田 梓・中山幸二・安井雄一郎・森 雅之（富山大）・宮崎英志・水谷 孝（名大）  ED2012-135 SDM2012-164 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-135 SDM2012-164 |
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| 抄録 | （和） | 表面再構成制御エピタキシー法を用いてSi(111) 基板上に直接成長した6-25 nm のInSb 薄膜をチャネルとしてMOSFET を作製した．この方法で成長したInSb 層は基板に対し30 度面内で回転することにより，格子不整合が約3 ％に緩和されている．そのため，これらの極薄InSb 膜はpseudomorphic 的な特性を示す．作製したMOSFETは良好なID-VD 特性を示した．さらに，実効移動度の膜厚依存性を検討し，臨界膜厚に近づく薄膜化により，移動度が向上することが実験的に示された． |
| （英） | Al2O3/InSb/Si MOSFETs were fabricated with a thin InSb channel layer grown directly on Si(111) substrates. The InSb thickness was ranging from 6 to 25 nm. These thicknesses are close to the critical thickness of the InSb on Si, when the InSb layer is grown using special technique called surface reconstruction controlled epitaxy, which reduces the lattice mismatch from 19.3 to 3.3 % by rotating the in-plane InSb axis by 30-degrees with respect to the Si(111) substrate. Good FET characteristics were observed for 10-nm InSb channel devices. The dependence of the device properties on the InSb channel thickness were investigated. The enhancement of the effective mobility for thin InSb channel devices was demonstrated, which indicates the crystal quality improvement for quasi pseudomorphic channels. | |
| キーワード | （和） | MOSFET / InSb / Al2O3 / 分子線エピタキシー / 格子不整合 / / / |
| （英） | MOSFET / InSb / Al2O3 / Molecular Beam Epitaxy / lattice mismatch / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 445, ED2012-135, pp. 39-42, 2013年2月. | |
| 資料番号 | ED2012-135 | |
| 発行日 | 2013-02-20 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-135 SDM2012-164 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-135 SDM2012-164 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2013-02-27 - 2013-02-28 |
| 開催地（和） | 北海道大学（百年記念会館） |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ. |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional nanodevices and related technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2013-02-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl2O3/InSb MOSFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Al2O3/InSb MOSFETs using an ultra thin InSb layer grown directly on a Si substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | InSb / InSb |
| キーワード(3)（和/英） | Al2O3 / Al2O3 |
| キーワード(4)（和/英） | 分子線エピタキシー / Molecular Beam Epitaxy |
| キーワード(5)（和/英） | 格子不整合 / lattice mismatch |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前澤 宏一 / Koichi Maezawa / マエザワ コウイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 泰平 / Taihei Ito / イトウ タイヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角田 梓 / Azusa Kadoda / カドダ アズサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中山 幸二 / Koji Nakayama / ナカヤマ コウジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安井 雄一郎 / Yuichiro Yasui / ヤスイ ユウイチロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 雅之 / Masayuki Mori / モリ マサユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮崎 英志 / Eiji Miyazaki / ミヤザキ エイジ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水谷 孝 / Takashi Mizutani / ミズタニ タカシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-02-27 16:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2012-135, SDM2012-164 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.445(ED), no.446(SDM) |
| ページ範囲 | pp.39-42 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-02-20 (ED, SDM) |
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