講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-02-27 16:55
Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl2O3/InSb MOSFET ○前澤宏一・伊藤泰平・角田 梓・中山幸二・安井雄一郎・森 雅之(富山大)・宮崎英志・水谷 孝(名大) ED2012-135 SDM2012-164 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-135 SDM2012-164 |
抄録 |
(和) |
表面再構成制御エピタキシー法を用いてSi(111) 基板上に直接成長した6-25 nm のInSb 薄膜をチャネルとしてMOSFET を作製した.この方法で成長したInSb 層は基板に対し30 度面内で回転することにより,格子不整合が約3 %に緩和されている.そのため,これらの極薄InSb 膜はpseudomorphic 的な特性を示す.作製したMOSFETは良好なID-VD 特性を示した.さらに,実効移動度の膜厚依存性を検討し,臨界膜厚に近づく薄膜化により,移動度が向上することが実験的に示された. |
(英) |
Al2O3/InSb/Si MOSFETs were fabricated with a thin InSb channel layer grown directly on Si(111) substrates. The InSb thickness was ranging from 6 to 25 nm. These thicknesses are close to the critical thickness of the InSb on Si, when the InSb layer is grown using special technique called surface reconstruction controlled epitaxy, which reduces the lattice mismatch from 19.3 to 3.3 % by rotating the in-plane InSb axis by 30-degrees with respect to the Si(111) substrate. Good FET characteristics were observed for 10-nm InSb channel devices. The dependence of the device properties on the InSb channel thickness were investigated. The enhancement of the effective mobility for thin InSb channel devices was demonstrated, which indicates the crystal quality improvement for quasi pseudomorphic channels. |
キーワード |
(和) |
MOSFET / InSb / Al2O3 / 分子線エピタキシー / 格子不整合 / / / |
(英) |
MOSFET / InSb / Al2O3 / Molecular Beam Epitaxy / lattice mismatch / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 445, ED2012-135, pp. 39-42, 2013年2月. |
資料番号 |
ED2012-135 |
発行日 |
2013-02-20 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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