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講演抄録/キーワード
講演名 2013-02-28 10:15
超伝導島電極を有する強磁性SETにおける磁気抵抗比の極性とトンネル抵抗値の相関
滝口将志守屋雅隆島田 宏水柿義直電通大ED2012-140 SDM2012-169 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-140 SDM2012-169
抄録 (和) 強磁性体-超伝導体-強磁性体からなる二重トンネル接合デバイスでは,バイアス電圧が超伝導ギャップ近傍にて負の磁気抵抗比が現れる.これはスピン偏極した電子が超伝導体内に過剰に蓄積すると,超伝導性が抑制されることに起因する.超伝導体中のスピンは時間とともに緩和するため,超伝導性の抑制が起こるには強磁性体から超伝導体へスピン偏極した準粒子が高いレートで注入されることが必要となる.準粒子の注入レートはトンネル抵抗値によって制限されるので,トンネル抵抗値の大小と磁気抵抗比の極性とは,負の相関関係があると予測される.我々は超伝導体島電極を有する強磁性単一電子トランジスタを複数作製し,磁気抵抗比を測定した.トンネル抵抗値の低い素子では負の磁気抵抗比が,トンネル抵抗値が高い素子では正の磁気抵抗比が得られ,実験結果は予測と一致した. 
(英) Negative magnetoresistance ratio is shown in ferromagnet-superconductor-ferromagnet double tunnel junctions. An excessive spin accumulation in a superconductor produces the suppression of the superconductivity. Since the spin will be relaxed by time in a superconductor, more injection of spin-polarized quasiparticles from the ferromagnetic leads to the superconductor are required to obtain the negative magnetoresistance ratio. The spin injection rate is driven by the tunnel resistance. It is predicted that the polarity of tunnel resistance and a magnetic resistance ratio has as negative correlation. We fabricated several ferromagnetic SET with superconductive island, and measured the correlation between the polarity of a magnetore-sistance ratio and the tunnel resistance. The samples which have the lower tunnel resistance showed the negative magnetore-sistance ratio, and other samples which have the higher tunnel resistance showed the positive magnetoresistance ratio. Our experimental results have an agreement with the prediction.
キーワード (和) トンネル磁気抵抗効果 / スピン緩和時間 / クーロンブロッケード / / / / /  
(英) Tunnel magnetoresiatance effect / spin relaxation time / coulomb blockade / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 445, ED2012-140, pp. 65-70, 2013年2月.
資料番号 ED2012-140 
発行日 2013-02-20 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2012-140 SDM2012-169 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-140 SDM2012-169

研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2013-02-27 - 2013-02-28 
開催地(和) 北海道大学(百年記念会館) 
開催地(英) Hokkaido Univ. 
テーマ(和) 機能ナノデバイスおよび関連技術 
テーマ(英) Functional nanodevices and related technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2013-02-SDM-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 超伝導島電極を有する強磁性SETにおける磁気抵抗比の極性とトンネル抵抗値の相関 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Correlation between polarity of magnetoresistance ratio and tunnel resistance in ferromagnetic SET with superconductive island 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) トンネル磁気抵抗効果 / Tunnel magnetoresiatance effect  
キーワード(2)(和/英) スピン緩和時間 / spin relaxation time  
キーワード(3)(和/英) クーロンブロッケード / coulomb blockade  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 滝口 将志 / Masashi Takiguchi / タキグチ マサシ
第1著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: Univ. of Electro- Comm.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 守屋 雅隆 / Masataka Moriya / モリヤ マサタカ
第2著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: Univ. of Electro- Comm.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 島田 宏 / Hiroshi Shimada / シマダ ヒロシ
第3著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: Univ. of Electro- Comm.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 水柿 義直 / Yoshinao Mizugaki / ミズガキ ヨシナオ
第4著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: Univ. of Electro- Comm.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-02-28 10:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2012-140, SDM2012-169 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.445(ED), no.446(SDM) 
ページ範囲 pp.65-70 
ページ数
発行日 2013-02-20 (ED, SDM) 


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