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| 講演名 | 2013-02-28 09:00 室温動作単電子トランジスタとCMOS1-bitアナログセレクタの集積化 ○鈴木龍太・野末喬城・更屋拓也・平本俊郎（東大）  ED2012-137 SDM2012-166 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-137 SDM2012-166 |
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| 抄録 | （和） | あらまし 本研究では、室温動作シリコン単電子トランジスタ(SET)の作製プロセスの改良により、同時に作製されるMOSFETの特性を改善し、SETとCMOSを集積化した上での回路動作を実証した。作製プロセスの改良により、MOSFETの寄生抵抗の抑制とノーマリオフ動作を実現し、作製プロセスの完全なCMOS互換性を達成した。6個のMOSFETから構成されたCMOSアナログセレクタ回路とSETを集積し、2つの入力電圧のうち1つをセレクタを介して選択的にSETのゲートに印加する動作を室温にて実証した。加えて、セレクタに接続された2つのSETのうちの1つの出力電流を選択的に読み出せることも示した。これらの成果により、SETとCMOSを集積化した高密度な情報処理回路の実現可能性が示された。 |
| （英） | In this paper, integrated circuit operation of CMOS analog selector circuits and silicon single-electron transistors is presented. The improvements in the fabrication process of SETs operating at room temperature have achieved better compatibility with CMOS, in terms of reduction in parasitic resistance and normally-off operation of MOSFETs. Selective voltage application to the gate of a SET and selective readout of the output currents of two SETs through CMOS analog selectors have been demonstrated at room temperature. | |
| キーワード | （和） | 単電子トランジスタ / SET / CMOS / / / / / |
| （英） | single-electron transistor / SET / CMOS / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 446, SDM2012-166, pp. 47-52, 2013年2月. | |
| 資料番号 | SDM2012-166 | |
| 発行日 | 2013-02-20 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-137 SDM2012-166 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-137 SDM2012-166 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2013-02-27 - 2013-02-28 |
| 開催地（和） | 北海道大学（百年記念会館） |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ. |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional nanodevices and related technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-02-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 室温動作単電子トランジスタとCMOS1-bitアナログセレクタの集積化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Integration of CMOS 1-bit Analog Selector and Single-Electron Transistors Operating at Room Temperature |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 単電子トランジスタ / single-electron transistor |
| キーワード(2)（和/英） | SET / SET |
| キーワード(3)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 龍太 / Ryota Suzuki / スズキ リョウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野末 喬城 / Motoki Nozue / ノズエ モトキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 更屋 拓也 / Takuya Saraya / サラヤ タクヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-02-28 09:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2012-137, SDM2012-166 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.445(ED), no.446(SDM) |
| ページ範囲 | pp.47-52 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-02-20 (ED, SDM) |
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