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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-03-05 15:45 ［招待講演］シリコンに共有結合により接合したアルキル自己集積化単分子膜の表面電位と電子状態 ○杉村博之・下阪健治・ヘレラ マービン・ウスタリス・一井 崇・邑瀬邦明（京大）  OME2012-100 |
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| 抄録 | （和） | 水素終端化シリコン(Si)表面での有機分子の光励起化学反応によって，鎖長の異なる４種類のアルキル自己集積化単分子膜(Self-Assembled Monolayer, SAM)を，共有結合(Si-C)を介してSi(111)表面に固定化した．これらのSAM被覆Si試料の表面電位とイオン化ポテンシャルを，ケルビン力顕微鏡（Kelvin-probe force microscopy）および光電子収率分光法(Photoelectron yield spectroscopy)により測定し，表面電位のアルキル鎖長依存性とSi-SAM界面の電子構造について検討した． |
| （英） | Alkyl self-Assembled Monolayers (SAMs), which are covalently bonded to Si through Si-C bonds, have been formed by photochemical processes based on the band excitation of Si. Surface potentials and ionization potentials of these SAM-Si samples were measured by Kelvin-probe force microscopy and photoelectron yield spectroscopy, respectively. Interfacial electronic structures of the SAM-Si dependent on the alkyl-chain length was studied. | |
| キーワード | （和） | 自己集積化単分子膜 / アルキル基 / シリコン / 表面電位 / イオン化ポテンシャル / / / |
| （英） | Self-Assembled Monolayer / Silicon / Surface Potential / Ionization Potential / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 456, OME2012-100, pp. 41-46, 2013年3月. | |
| 資料番号 | OME2012-100 | |
| 発行日 | 2013-02-26 (OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OME2012-100 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
| 開催期間 | 2013-03-05 - 2013-03-05 |
| 開催地（和） | 産総研九州センター |
| 開催地（英） | AIST Kyushu Center |
| テーマ（和） | バイオ、エレクトロニクス、材料、界面、その場観察、その他一般 |
| テーマ（英） | biotechnology, electronics, materials, interfaces, in situ observation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2013-03-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | シリコンに共有結合により接合したアルキル自己集積化単分子膜の表面電位と電子状態 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Surface potentials and electronic states of alkyl self-assembled monolayer covalently bonded to Si |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 自己集積化単分子膜 / Self-Assembled Monolayer |
| キーワード(2)（和/英） | アルキル基 / Silicon |
| キーワード(3)（和/英） | シリコン / Surface Potential |
| キーワード(4)（和/英） | 表面電位 / Ionization Potential |
| キーワード(5)（和/英） | イオン化ポテンシャル / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉村 博之 / Hiroyuki Sugimura / スギムラ ヒロユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 下阪 健治 / Kneji Shimosaka / シモサカ ケンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | ヘレラ マービン・ウスタリス / Marvin Ustaris Herrera / |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 一井 崇 / Takashi Ichii / イチイ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 邑瀬 邦明 / Kuniaki Murase / ムラセ クニアキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-03-05 15:45:00 |
| 発表時間 | 35分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2012-100 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.456 |
| ページ範囲 | pp.41-46 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-02-26 (OME) |
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