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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-05-16 15:10 塗布型酸化物半導体バッファ層を用いた有機EL素子 高山 健・○中 茂樹・岡田裕之（富山大）  OME2013-27 |
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| 抄録 | （和） | 陽極バッファ層として溶液プロセスにより酸化物半導体を成膜した有機EL素子について検討した．MoO3を塗布した素子において，MoO3を塗布しない素子と比較して特性が向上し，電流密度100 mA/cm2時に5,000 cd/m2の発光輝度が得られ，バッファ層としてPEDOTおよび真空蒸着したMoO3の素子と同等の特性が得られた．また，MoO3の挿入により，ITO/有機層界面のエネルギー障壁が低下した．これにより，スピンコート成膜したMoO3が有機EL素子のバッファ層として有効であることがわかった． |
| （英） | We report on the application of oxide semiconductor film deposited by spin-coating from aqueous solution to the organic light-emitting diodes. The device characteristics with solution-processed MoO3 were drastically improved in comparison with the device without MoO3 buffer layer. Luminance and EL efficiency were identical to the devices with poly(3,4-ethylenedioxythiophene): poly(styrenesulfonate) or vacuum-deposited MoO3 buffer layer. Also, the barrier height at interface of indium-tin-oxide/organic layer is lowered with insertion of spin-coated MoO3. Solution-processed MoO3 from dilute aqueous solution is promising for the buffer layer in the OLEDs. | |
| キーワード | （和） | 有機EL素子 / 溶液プロセス / 陽極バッファ層 / 酸化物半導体 / / / / |
| （英） | organic light-emitting diodes / solution-process / buffer layer for anode / oxide semiconductor / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 42, OME2013-27, pp. 23-27, 2013年5月. | |
| 資料番号 | OME2013-27 | |
| 発行日 | 2013-05-09 (OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OME2013-27 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
| 開催期間 | 2013-05-16 - 2013-05-16 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 B3F-2 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 有機材料作製・評価技術、一般 |
| テーマ（英） | Fabrication, Characterization and General Aspects Related to Organic Materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2013-05-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 塗布型酸化物半導体バッファ層を用いた有機EL素子 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Organic Light-Emitting Diodes with Solution-processed Oxide Semiconductor |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機EL素子 / organic light-emitting diodes |
| キーワード(2)（和/英） | 溶液プロセス / solution-process |
| キーワード(3)（和/英） | 陽極バッファ層 / buffer layer for anode |
| キーワード(4)（和/英） | 酸化物半導体 / oxide semiconductor |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高山 健 / Masaru Takayama / タカヤマ マサル |
| 第1著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中 茂樹 / Shigeki Naka / ナカ シゲキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 裕之 / Hiroyuki Okada / オカダ ヒロユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 講演者 | 第2著者 |
| 発表日時 | 2013-05-16 15:10:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2013-27 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.42 |
| ページ範囲 | pp.23-27 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2013-05-09 (OME) |
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