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講演抄録/キーワード
講演名 2013-06-21 16:40
シリコンCWDM光送信器に向けた4波長シリコンハイブリッドレーザアレイ
田中信介鄭 錫煥秋山知之関口茂昭倉橋輝雄田中 有森戸 健光電子融合基盤技研/富士通研OPE2013-16 LQE2013-26 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2013-16 LQE2013-26
抄録 (和) シリコン(Si)基板上に形成した集積光I/O素子は小型で大規模集積が可能であり、将来のスーパーコンピュータやハイエンドサーバにおけるCPU間光インターコネクトのキーデバイスと考えられる。Si 集積光I/O を用いた光リンクでは、波長多重化(WDM)による伝送路当り通信容量増大が期待される。今回我々は波長制御フリー光送信器のCWDM集積に向けた4波長Siハイブリッドレーザを開発した。均一な波長間隔を実現するため各チャネルに共通のリング共振器を用いたフィルタ構成を採用し、同時駆動時に高い光出力を得るためレーザの利得媒質である4chSOAアレイをSiチップ上に一括フリップチップ実装した。試作したレーザアレイは1.8×1.1mmと小型であり、リング共振器のFSRで決まる12±0.5nmの波長間隔で安定したレーザ発振を確認した。4ch同時駆動時における光出力は>+5dBm/ch、SMSRは>38dBであり、CWDM集積波長制御フリー光送信器に適用可能な高いレーザ特性を実現した。 
(英) A compact, large-scale integrated Si optical I/O chip is a very promising candidate for an optical interconnections used in next-generation HPC systems and high-end servers. For a Si integrated optical I/O chip, a use of wavelength division multiplexing (WDM) technology is very attractive to increase the aggregated bandwidth. In this study, we developed a four channel integrated Si hybrid laser array for wavelength-tuning-free Si transmitter. We adopted common RR wavelength filters to define a highly uniform wavelength grid. In order to obtain a high output power, a four-channel SOA array chip was collectively bonded on to the Si mirror chip using a precise flip-chip bonding technology. The fabricated laser array has a compact chip size of 1.1×1.8mm. It exhibited a 4ch lasing at a uniform wavelength spacing of 12±0.5nm which was equal to the FSR of RR. Under 4ch simultaneous operation, we also obtained a high output power of >+5dBm/ch and high SMSR of >38dB.
キーワード (和) シリコンフォトニクス / ハイブリッドレーザ / フリップチップ実装 / / / / /  
(英) Silicon photonics / Hybrid lasers / Flip-chip bonding / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 100, LQE2013-26, pp. 49-53, 2013年6月.
資料番号 LQE2013-26 
発行日 2013-06-14 (OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OPE2013-16 LQE2013-26 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2013-16 LQE2013-26

研究会情報
研究会 LQE OPE  
開催期間 2013-06-21 - 2013-06-21 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英)  
テーマ(和) アクティブデバイスと集積化技術、一般 「材料デバイスサマーミーティング」 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2013-06-LQE-OPE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) シリコンCWDM光送信器に向けた4波長シリコンハイブリッドレーザアレイ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Four-wavelength hybrid laser array for silicon CWDM transmitter 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコンフォトニクス / Silicon photonics  
キーワード(2)(和/英) ハイブリッドレーザ / Hybrid lasers  
キーワード(3)(和/英) フリップチップ実装 / Flip-chip bonding  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 信介 / Shinsuke Tanaka / タナカ シンスケ
第1著者 所属(和/英) 光電子融合基盤技術研究所/富士通研究所 (略称: 光電子融合基盤技研/富士通研)
PETRA/Fujitsu Labs. (略称: PETRA/Fujitsu Labs.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 鄭 錫煥 / Seok-Hwan Jeong / チョン ソックファン
第2著者 所属(和/英) 光電子融合基盤技術研究所/富士通研究所 (略称: 光電子融合基盤技研/富士通研)
PETRA/Fujitsu Labs. (略称: PETRA/Fujitsu Labs.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 秋山 知之 / Tomoyuki Akiyama / アキヤマ トモユキ
第3著者 所属(和/英) 光電子融合基盤技術研究所/富士通研究所 (略称: 光電子融合基盤技研/富士通研)
PETRA/Fujitsu Labs. (略称: PETRA/Fujitsu Labs.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 関口 茂昭 / Shigeaki Sekiguchi / セキグチ シゲアキ
第4著者 所属(和/英) 光電子融合基盤技術研究所/富士通研究所 (略称: 光電子融合基盤技研/富士通研)
PETRA/Fujitsu Labs. (略称: PETRA/Fujitsu Labs.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 倉橋 輝雄 / Teruo Kurahashi / クラハシ テルオ
第5著者 所属(和/英) 光電子融合基盤技術研究所/富士通研究所 (略称: 光電子融合基盤技研/富士通研)
PETRA/Fujitsu Labs. (略称: PETRA/Fujitsu Labs.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 有 / Yu Tanaka / タナカ ユウ
第6著者 所属(和/英) 光電子融合基盤技術研究所/富士通研究所 (略称: 光電子融合基盤技研/富士通研)
PETRA/Fujitsu Labs. (略称: PETRA/Fujitsu Labs.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 森戸 健 / Ken Morito / モリト ケン
第7著者 所属(和/英) 光電子融合基盤技術研究所/富士通研究所 (略称: 光電子融合基盤技研/富士通研)
PETRA/Fujitsu Labs. (略称: PETRA/Fujitsu Labs.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-06-21 16:40:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 OPE2013-16, LQE2013-26 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.99(OPE), no.100(LQE) 
ページ範囲 pp.49-53 
ページ数
発行日 2013-06-14 (OPE, LQE) 


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