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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-07-12 09:20 最大ハミング距離を制限した符号とこれを用いた不揮発メモリの書き込み削減手法 ○多和田雅師・木村晋二・柳澤政生・戸川 望（早大）  CAS2013-18 VLD2013-28 SIP2013-48 MSS2013-18 |
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| 抄録 | （和） | 近年の高集積化に伴い消費電力全体に対するリーク電力の割合が高まっている． 不揮発メモリはリーク電力をほとんど消費しないため次世代のメモリとして期待されている． 不揮発メモリは通常のメモリより書き込み時に電力を消費する問題がある． 不揮発メモリの書き込み電力を低減するためには，書き込みビット数を削減する手法が考えられる． メモリの値をある値から違う値へ書き換えるとき，実際に保存する値を符号化することで， 本来書き換えるビット数よりも実際に書き込むビット数を少なくすることができる． 最大ハミング距離を制限した符号により，書き込みビット数を削減する手法を提案する． 符号間の最大ハミング距離を制限する符号を生成し，一回の値の書き込みで反転するビット数を制限することで書き込みビット数を削減する． |
| （英） | Non-volatile memory has many advantages over SRAM, such as high density, low leakage power, and non-volatility. However, one of its largest problems is that it consumes a large amount of energy in writing. It is quite necessary to reduce the number of writing bits and thus decrease its writing energy. In this paper, we propose a memory writing reduction method based on state encoding limiting maximum Hamming distance. When a data is written into a memory, we do not write it directly but encode it into a codeword. Then we write the codeword into a memory. At this time, we encode a data into a codeword limiting its maximum Hamming distance from another codeword. If the maximum Hamming distance is limited among all the codewords, the number of flipped bits are also limited and then the number of writing bits will be reduced. We show several experimental evaluations and discuss the effectiveness of our proposed algorithm. |
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| キーワード | （和） | 不揮発メモリ / 書き込み削減 / / / / / / |
| （英） | non-voltaile memory / write reduction / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 119, VLD2013-28, pp. 95-100, 2013年7月. | |
| 資料番号 | VLD2013-28 | |
| 発行日 | 2013-07-04 (CAS, VLD, SIP, MSS) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CAS2013-18 VLD2013-28 SIP2013-48 MSS2013-18 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SIP CAS MSS VLD |
| 開催期間 | 2013-07-11 - 2013-07-12 |
| 開催地（和） | 熊本大学 |
| 開催地（英） | Kumamoto Univ. |
| テーマ（和） | システムと信号処理および一般 |
| テーマ（英） | System, signal processing and related topics |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | VLD |
| 会議コード | 2013-07-SIP-CAS-MSS-VLD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 最大ハミング距離を制限した符号とこれを用いた不揮発メモリの書き込み削減手法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A non-volatile memory writing reduction method based on state encoding limiting maximum Hamming distance |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 不揮発メモリ / non-voltaile memory |
| キーワード(2)（和/英） | 書き込み削減 / write reduction |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 多和田 雅師 / Masashi Tawada / タワダ マサシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 晋二 / Shinji Kimura / キムラ シンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳澤 政生 / Masao Yanagisawa / ヤナギサワ マサオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 戸川 望 / Nozomu Togawa / トガワ ノゾム |
| 第4著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-07-12 09:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | VLD |
| 資料番号 | CAS2013-18, VLD2013-28, SIP2013-48, MSS2013-18 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.118(CAS), no.119(VLD), no.120(SIP), no.121(MSS) |
| ページ範囲 | pp.95-100 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-07-04 (CAS, VLD, SIP, MSS) |
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