| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2013-07-12 09:00
IL1およびIL2キャッシュに不揮発メモリを利用した二階層キャッシュにおける消費エネルギーの評価 ○松野翔太・多和田雅師・柳澤政生・木村晋二・戸川 望(早大)・杉林直彦(NEC) CAS2013-17 VLD2013-27 SIP2013-47 MSS2013-17 |
| 抄録 |
(和) |
オンチップ・メモリによく利用されるSRAMは,高速かつ動作電力が低いが,微細化とともに構造に起因するリーク電力が増大し,無視できなくなってきた.一方,不揮発メモリはリーク電力が小さいという特性を持つ.さらに電源をOFFにしても記憶内容が保持されるため,ノーマリオフへの活用が期待されている.しかし,書き込みエネルギーが大きいなどの欠点がある.本稿では,二階層キャッシュの一部に不揮発メモリを利用したときに,書き込みエネルギーが大きいという欠点があっても,消費エネルギーが削減できることを確認した. |
| (英) |
A non-volatile memory has advantages such as low leak energy and non-volatility compared with SRAM or DRAM has high leak energy. It is strongly expected to use a non-volatile memory for realizing normally-off systems. A non-volatile memory, however, consumes more energy to write than SRAM or DRAM. In this paper, we evaluate energy consumption of a cache memory in an embedded processor with non-volatile memories. In our evaluation, we assume that their write energy is 1.0x to 10.0x higher than that of SRAM. Experimental evaluations demonstrate that using non-volatile memories in a cache is better choice in some cases, even when write energy of non-volatile memories is 10.0x higher than that of SRAM. |
| キーワード |
(和) |
不揮発メモリ / キャッシュ / STT-RAM / / / / / |
| (英) |
Non-Volatile Memory / cache / STT-RAM / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 119, VLD2013-27, pp. 89-94, 2013年7月. |
| 資料番号 |
VLD2013-27 |
| 発行日 |
2013-07-04 (CAS, VLD, SIP, MSS) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
CAS2013-17 VLD2013-27 SIP2013-47 MSS2013-17 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
SIP CAS MSS VLD |
| 開催期間 |
2013-07-11 - 2013-07-12 |
| 開催地(和) |
熊本大学 |
| 開催地(英) |
Kumamoto Univ. |
| テーマ(和) |
システムと信号処理および一般 |
| テーマ(英) |
System, signal processing and related topics |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
VLD |
| 会議コード |
2013-07-SIP-CAS-MSS-VLD |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル(和) |
IL1およびIL2キャッシュに不揮発メモリを利用した二階層キャッシュにおける消費エネルギーの評価 |
| サブタイトル(和) |
|
| タイトル(英) |
Evaluation of energy consumption for two-level cache using Non-Volatile Memory for IL1 and UL2 caches |
| サブタイトル(英) |
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| キーワード(1)(和/英) |
不揮発メモリ / Non-Volatile Memory |
| キーワード(2)(和/英) |
キャッシュ / cache |
| キーワード(3)(和/英) |
STT-RAM / STT-RAM |
| キーワード(4)(和/英) |
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| キーワード(5)(和/英) |
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| キーワード(6)(和/英) |
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| キーワード(7)(和/英) |
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| キーワード(8)(和/英) |
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| 第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
松野 翔太 / Shota Matsuno / マツノ ショウタ |
| 第1著者 所属(和/英) |
早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.) |
| 第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
多和田 雅師 / Masashi Tawada / タワダ マサシ |
| 第2著者 所属(和/英) |
早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.) |
| 第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
柳澤 政生 / Masao Yanagisawa / ヤナギサワ マサオ |
| 第3著者 所属(和/英) |
早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.) |
| 第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
木村 晋二 / Shinji Kimura / キムラ シンジ |
| 第4著者 所属(和/英) |
早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.) |
| 第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
戸川 望 / Nozomu Togawa / トガワ ノゾム |
| 第5著者 所属(和/英) |
早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.) |
| 第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
杉林 直彦 / Tadahiko Sugibayashi / スギバヤシ タダヒコ |
| 第6著者 所属(和/英) |
日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC) |
| 第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2013-07-12 09:00:00 |
| 発表時間 |
20分 |
| 申込先研究会 |
VLD |
| 資料番号 |
CAS2013-17, VLD2013-27, SIP2013-47, MSS2013-17 |
| 巻番号(vol) |
vol.113 |
| 号番号(no) |
no.118(CAS), no.119(VLD), no.120(SIP), no.121(MSS) |
| ページ範囲 |
pp.89-94 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2013-07-04 (CAS, VLD, SIP, MSS) |
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