講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-07-18 17:20
[特別招待講演]グラフェンテラヘルツデバイス研究のためのシミュレーション技術 ○佐野栄一(北大) MW2013-59 OPE2013-28 EST2013-23 MWP2013-18 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2013-59 OPE2013-28 EST2013-23 MWP2013-18 |
抄録 |
(和) |
炭素六員環構造の単原子層からなるグラフェンは、その特異な電子構造のため物理実験のプラットホームとして興味深く、さらには高いキャリア移動度とドリフト速度を有するため、電子デバイス、配線、電極、透明導電シートを始めとして幅広い応用が期待されている。グラフェン自体の製造方法およびそれを用いたデバイス製造方法の研究開発とともに、グラフェン中の電子構造、電子輸送現象、電子緩和過程の基礎物理を理解し、高性能化に適したデバイス構造を明らかにする計算物理が非常に重要となる。本講演では、テラヘルツ応用を目指したグラフェンデバイス研究における計算機シミュレーション技術について報告する。 |
(英) |
Graphene, a two-dimensional honeycomb structure of carbon atoms, has attracted a lot of attention due to its unique nature as a platform of physics and high electron mobility and velocity for potential applications such as electron devices, interconnections, electrodes, and conductive transparent films. In addition to the research and development of fabrication technologies, it is important to elucidate the electron structure, transport and relaxation process and investigate high-performance device structures with computer simulations for realizing graphene devices. This presentation reports the simulation technologies in the research and development of terahertz graphene devices. |
キーワード |
(和) |
グラフェン / 強束縛近似ハミルトニアン / モンテカルロシミュレーション / FDTD電磁界解析 / / / / |
(英) |
Graphene / Tight-binding Hamiltonian / Monte Carlo simulation / FDTD EM simulation / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 143, EST2013-23, pp. 77-82, 2013年7月. |
資料番号 |
EST2013-23 |
発行日 |
2013-07-11 (MW, OPE, EST, MWP) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
MW2013-59 OPE2013-28 EST2013-23 MWP2013-18 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2013-59 OPE2013-28 EST2013-23 MWP2013-18 |
研究会情報 |
研究会 |
EST MWP OPE MW EMT IEE-EMT |
開催期間 |
2013-07-18 - 2013-07-19 |
開催地(和) |
稚内総合文化センター |
開催地(英) |
Wakkanai Synthesis Cultural Center |
テーマ(和) |
マイクロ波フォトニクス技術、一般 |
テーマ(英) |
Microwave photonic technology etc. |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
EST |
会議コード |
2013-07-EST-MWP-OPE-MW-EMT-EMT |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
グラフェンテラヘルツデバイス研究のためのシミュレーション技術 |
サブタイトル(和) |
|
タイトル(英) |
Simulation Technologies for Realizing Terahertz Electron Devices |
サブタイトル(英) |
|
キーワード(1)(和/英) |
グラフェン / Graphene |
キーワード(2)(和/英) |
強束縛近似ハミルトニアン / Tight-binding Hamiltonian |
キーワード(3)(和/英) |
モンテカルロシミュレーション / Monte Carlo simulation |
キーワード(4)(和/英) |
FDTD電磁界解析 / FDTD EM simulation |
キーワード(5)(和/英) |
/ |
キーワード(6)(和/英) |
/ |
キーワード(7)(和/英) |
/ |
キーワード(8)(和/英) |
/ |
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
佐野 栄一 / Eiichi Sano / サノ エイイチ |
第1著者 所属(和/英) |
北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第2著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第3著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第4著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第5著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第6著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第7著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第8著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第9著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第10著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第11著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第12著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第13著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第14著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第15著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第16著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第17著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第18著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第19著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第20著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2013-07-18 17:20:00 |
発表時間 |
40分 |
申込先研究会 |
EST |
資料番号 |
MW2013-59, OPE2013-28, EST2013-23, MWP2013-18 |
巻番号(vol) |
vol.113 |
号番号(no) |
no.141(MW), no.142(OPE), no.143(EST), no.144(MWP) |
ページ範囲 |
pp.77-82 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2013-07-11 (MW, OPE, EST, MWP) |
|