講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-07-25 14:00
非接触給電用GaN FETの高周波駆動対応ゲートドライブ回路 ○西垣彰紘・吉田 尭・金澤康樹・今岡 淳・梅上大勝・服部文哉・山本真義(島根大) EE2013-10 |
抄録 |
(和) |
本論文では,プッシュプルE級コンバータを用いた非接触給電回路をGaN FETで動作させる。しかしながら,GaN FETはゲートにダイオード特性を持っているため,GaN FET専用のゲート駆動回路が必要となる。そこでGaN FETの高周波駆動に用いるため3つのゲートドライブ回路を紹介し,それぞれスイッチング損失・導通損失の観点から比較検討を行い,最適なドライブ回路を選定する. |
(英) |
This paper introduces three high frequency gate drive circuits for GaN FETs in wireless power transfer applications using push-pull class E converter. GaN FETs have diode characteristic between the gate-source. The proposal gate drive circuits can decrease the losses which are caused by parasitic effects of the GaN FETs diode. Therefore, an exclusive gate drive circuit is necessary in order to apply GaN FET to drive circuits. Drive circuits are compared from the view point of switching losses and conduction losses which were tested through implementation on a prototype application. Finally, the most suitable drive circuit is highlighted in the experimental results. |
キーワード |
(和) |
非接触給電 / GaN FET / ゲートドライブ回路 / 高周波 / / / / |
(英) |
Wireless Power Transfer / GaN FETs / Gate Drive Circuit / High-frequency / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 155, EE2013-10, pp. 13-17, 2013年7月. |
資料番号 |
EE2013-10 |
発行日 |
2013-07-18 (EE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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EE2013-10 |