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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-08-02 09:50 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM ○新居浩二・薮内 誠・藤原英弘・塚本康正・石井雄一郎（ルネサス エレクトロニクス）・松村哲哉（日大）・松田吉雄（金沢大）  SDM2013-76 ICD2013-58 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 173, ICD2013-58, pp. 53-57, 2013年8月. | |
| 資料番号 | ICD2013-58 | |
| 発行日 | 2013-07-25 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-76 ICD2013-58 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ICD |
| 開催期間 | 2013-08-01 - 2013-08-02 |
| 開催地（和） | 金沢大学 角間キャンパス |
| 開催地（英） | Kanazawa University |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2013-08-SDM-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A cost-effective 45nm 6T-SRAM reducing 50mV Vmin and 53% standby leakage with multi-Vt asymmetric halo MOS and write assist circuitry |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新居 浩二 / Koji Nii / ニイ コウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 薮内 誠 / Makoto Yabuuchi / ヤブウチ マコト |
| 第2著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤原 英弘 / Hidehiro Fujiwara / フジワラ ヒデヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塚本 康正 / Yasumasa Tsukamoto / ツカモト ヤスマサ |
| 第4著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石井 雄一郎 / Yuichiro Ishii / イシイ ユウイチロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松村 哲哉 / Tetsuya Matsumura / マツムラ テツヤ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松田 吉雄 / Yoshio Matsuda / マツダ ヨシオ |
| 第7著者 所属（和/英） | 金沢大学 (略称： 金沢大) Kanazawa University (略称： Kanazawa Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-08-02 09:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | SDM2013-76, ICD2013-58 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.172(SDM), no.173(ICD) |
| ページ範囲 | pp.53-57 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2013-07-25 (SDM, ICD) |
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