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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-08-02 09:00 SRAMセル安定性指標パラメータの検討：ノイズマージンかVminか? ○Anil Kumar・更屋拓哉（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・平本俊郎（東大）  SDM2013-74 ICD2013-56 |
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| 抄録 | （和） | SRAMセルの安定性の指標となるパラメータとして，ノイズマージン(NM)と最低動作電圧(Vmin)を比較検討した．NMとVminを測定し直接比較した結果，高い電源電圧(VDD)においては両者の相関は低く，NMは必ずしもよい指標ではないことが明らかとなった．一方，VDDが低くなるほど両者の相関は高くなることを新たに発見し，SRAMセルの安定性を評価するには，高いVDDではなく低いVDDでNMを測定しなければならないことを初めて明らかにした． |
| （英） | This paper reports the comprehensive analysis of the stability parameter of SRAM cells. Results show that even if noise margin (NM) of SRAM cells is same at higher VDD, minimum operation voltage (Vmin) of the same cells is different. The origin of this discrepancy is analyzed. It can be concluded that NM at high VDD is not a good indicator and NM should be measured at as low VDD as possible to obtain NM data that are well correlated with Vmin. | |
| キーワード | （和） | CMOS / SRAM / Vmin / スタティックノイズマージン / / / / |
| （英） | CMOS / SRAM / Vmin / Static Noise Margin / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 172, SDM2013-74, pp. 43-46, 2013年8月. | |
| 資料番号 | SDM2013-74 | |
| 発行日 | 2013-07-25 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-74 ICD2013-56 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ICD |
| 開催期間 | 2013-08-01 - 2013-08-02 |
| 開催地（和） | 金沢大学 角間キャンパス |
| 開催地（英） | Kanazawa University |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-08-SDM-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SRAMセル安定性指標パラメータの検討：ノイズマージンかVminか? |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | SRAM Cell Stability Parameter: Noise Margin or Vmin? |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(2)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(3)（和/英） | Vmin / Vmin |
| キーワード(4)（和/英） | スタティックノイズマージン / Static Noise Margin |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Anil Kumar / Anil Kumar / クマール アニール |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 更屋 拓哉 / Takuya Saraya / サラヤ タクヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮野 信治 / Shinji Miyano / ミヤノ シンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 半導体理工学研究センター (略称： 半導体理工学研究センター) STARC (略称： STARC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-08-02 09:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-74, ICD2013-56 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.172(SDM), no.173(ICD) |
| ページ範囲 | pp.43-46 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-07-25 (SDM, ICD) |
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