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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-08-08 14:25 高性能共鳴トンネルダイオードのための溶融ガリウムバンプを用いたFluidic Self-Assembly ○中野 純・柴田知明・森田弘樹・坂本 宙・森 雅之・前澤宏一（富山大）  ED2013-38 |
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| 抄録 | （和） | 溶融金属バンプを用いたFluidic Self-Assembly (FSA)は非常に有望な異種材料集積技術のひとつであり，様々な材料の基板上に，様々なデバイスの集積を可能にする．我々はこの技術を共鳴トンネルダイオード(RTD)に適用した．直径24μmのRTDデバイスブロックを用い，溶融GaバンプによりFSAを行った．この方法で良好な電気的・機械的・熱的接続を得ることができた． |
| （英） | Fluidic Self-Assembly (FSA) using molten metal bumps is one of the most promising Heterogeneous Integration (HI) technologies, which enables us to integrate devices made of various materials on various substrates. We apply this technology to Resonant Tunneling Diodes (RTDs). The FSA of the RTD device blocks having a diameter of 24μm has been successfully demonstrated using the molten Ga bump. Good electrical, mechanical, as well as thermal contacts were obtained with this method. | |
| キーワード | （和） | 異種材料集積 / Fluidic Self-Assembly (FSA) / Gaバンプ / 共鳴トンネルダイオード(RTD) / / / / |
| （英） | Heterogeneous Integration (HI) / Fluidic Self-Assembly (FSA) / Gallium bump / Resonant Tunneling Diode (RTD) / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 176, ED2013-38, pp. 5-8, 2013年8月. | |
| 資料番号 | ED2013-38 | |
| 発行日 | 2013-08-01 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-38 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2013-08-08 - 2013-08-09 |
| 開催地（和） | 富山大学工学部 大会議室 |
| 開催地（英） | University of Toyama |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス（表面、界面、信頼性）、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2013-08-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高性能共鳴トンネルダイオードのための溶融ガリウムバンプを用いたFluidic Self-Assembly |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fluidic Self-Assembly for Heterogeneous Integration of High Performance Resonant Tunneling Diodes using Molten Gallium Bumps |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 異種材料集積 / Heterogeneous Integration (HI) |
| キーワード(2)（和/英） | Fluidic Self-Assembly (FSA) / Fluidic Self-Assembly (FSA) |
| キーワード(3)（和/英） | Gaバンプ / Gallium bump |
| キーワード(4)（和/英） | 共鳴トンネルダイオード(RTD) / Resonant Tunneling Diode (RTD) |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中野 純 / Jun Nakano / ナカノ ジュン |
| 第1著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柴田 知明 / Tomoaki Shibata / シバタ トモアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森田 弘樹 / Hiroki Morita / モリタ ヒロキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂本 宙 / Hiroshi Sakamoto / サカモト ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 雅之 / Masayuki Mori / モリ マサユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前澤 宏一 / Koichi Maezawa / マエザワ コウイチ |
| 第6著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-08-08 14:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2013-38 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.176 |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-08-01 (ED) |
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