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講演抄録/キーワード
講演名 2013-08-08 17:10
Al2O3/ n-Ga2O3 MOS ダイオード特性評価
上村崇史ワン マンホイNICT)・佐々木公平タムラ製作所)・ダイワシガマニ キルシナムルティNICT)・倉又朗人タムラ製作所)・増井建和光波)・山腰茂伸タムラ製作所)・東脇正高NICTED2013-43
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 113, no. 176, ED2013-43, pp. 29-32, 2013年8月.
資料番号 ED2013-43 
発行日 2013-08-01 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード ED2013-43

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2013-08-08 - 2013-08-09 
開催地(和) 富山大学工学部 大会議室 
開催地(英) University of Toyama 
テーマ(和) 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2013-08-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Al2O3/ n-Ga2O3 MOS ダイオード特性評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Characterization of Al2O3/ n-Ga2O3 MOS diodes 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 上村 崇史 / Takafumi Kamimura / カミムラ タカフミ
第1著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) ワン マンホイ / Man Hoi Wong / ワン マンホイ
第2著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐々木 公平 / Kohei Sasaki / ササキ コウヘイ
第3著者 所属(和/英) タムラ製作所 (略称: タムラ製作所)
Tamura Corporation (略称: Tamura Corp.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) ダイワシガマニ キルシナムルティ / Daivasigamani Krishnamurthy / ダイワシガマニ キルシナムルティ
第4著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 倉又 朗人 / Akito Kuramata / クラマタ アキト
第5著者 所属(和/英) タムラ製作所 (略称: タムラ製作所)
Tamura Corporation (略称: Tamura Corp.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 増井 建和 / Takekazu Masui / マスイ タケカズ
第6著者 所属(和/英) 光波 (略称: 光波)
Koha Co., Ltd. (略称: Koha Co., Ltd.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 山腰 茂伸 / Shigenobu Yamakoshi / ヤマコシ シゲノブ
第7著者 所属(和/英) タムラ製作所 (略称: タムラ製作所)
Tamura Corporation (略称: Tamura Corp.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 東脇 正高 / Masataka Higashiwaki / ヒガシワキ マサタカ
第8著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-08-08 17:10:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2013-43 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.176 
ページ範囲 pp.29-32 
ページ数
発行日 2013-08-01 (ED) 


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