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講演抄録/キーワード
講演名 2013-08-08 16:20
スパッタリング堆積BN膜のAlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタへの応用
山本裕司Tuan Quy NguyenHong-An Shih工藤昌宏鈴木寿一北陸先端大ED2013-41 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-41
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文献情報 信学技報, vol. 113, no. 176, ED2013-41, pp. 19-23, 2013年8月.
資料番号 ED2013-41 
発行日 2013-08-01 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2013-08-08 - 2013-08-09 
開催地(和) 富山大学工学部 大会議室 
開催地(英) University of Toyama 
テーマ(和) 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2013-08-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) スパッタリング堆積BN膜のAlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタへの応用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Application of sputtering-deposited BN films to AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 裕司 / Yuji Yamamoto / ヤマモト ユウジ
第1著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学 (略称: 北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称: JAIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) Tuan Quy Nguyen / Tuan Quy Nguyen / トゥアン クィ グエン
第2著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学 (略称: 北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称: JAIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) Hong-An Shih / Hong-An Shih / ホン アン シー
第3著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学 (略称: 北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称: JAIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 工藤 昌宏 / Masahiro Kudo / クドウ マサヒロ
第4著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学 (略称: 北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称: JAIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 寿一 / Toshi-kazu Suzuki / スズキ トシカズ
第5著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学 (略称: 北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称: JAIST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-08-08 16:20:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2013-41 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.176 
ページ範囲 pp.19-23 
ページ数
発行日 2013-08-01 (ED) 


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