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講演抄録/キーワード
講演名 2013-08-08 16:20
スパッタリング堆積BN膜のAlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタへの応用
山本裕司Tuan Quy NguyenHong-An Shih工藤昌宏鈴木寿一北陸先端大ED2013-41
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 113, no. 176, ED2013-41, pp. 19-23, 2013年8月.
資料番号 ED2013-41 
発行日 2013-08-01 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード ED2013-41

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2013-08-08 - 2013-08-09 
開催地(和) 富山大学工学部 大会議室 
開催地(英) University of Toyama 
テーマ(和) 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2013-08-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) スパッタリング堆積BN膜のAlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタへの応用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Application of sputtering-deposited BN films to AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 裕司 / Yuji Yamamoto / ヤマモト ユウジ
第1著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学 (略称: 北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称: JAIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) Tuan Quy Nguyen / Tuan Quy Nguyen / トゥアン クィ グエン
第2著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学 (略称: 北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称: JAIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) Hong-An Shih / Hong-An Shih / ホン アン シー
第3著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学 (略称: 北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称: JAIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 工藤 昌宏 / Masahiro Kudo / クドウ マサヒロ
第4著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学 (略称: 北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称: JAIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 寿一 / Toshi-kazu Suzuki / スズキ トシカズ
第5著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学 (略称: 北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称: JAIST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-08-08 16:20:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2013-41 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.176 
ページ範囲 pp.19-23 
ページ数
発行日 2013-08-01 (ED) 


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