| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-08-09 09:50 Ga/Si(111)表面再構成構造を用いたSi(111)基板上GaSbナノ構造の形成 ○町田龍人・戸田隆介・吉木圭祐・藤川紗千恵（東京理科大）・原 紳介（NICT）・色川勝己・三木裕文（東京理科大）・河津 璋（東京電機大）・藤代博記（東京理科大）  ED2013-46 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2013-46 |
|
| 抄録 | （和） | Si基板上のGaSbナノ構造は近赤外の発光素子への応用が期待されており，エピタキシャル成長法による形成の制御技術を確立することが求められている。本研究ではGa/Si(111)表面再構成構造上にGaSbを成長させ，Ga/Si(111)表面がGaSbナノ構造の形成に与える影響をSTMとAFMにより解析した．結果として基板温度350 °CにおいてGa/Si(111)-√3×√3表面上で，高密度かつ均一なGaSbナノ構造の形成が確認された． |
| （英） | Gallium antimonide (GaSb) nanostructures on Si (Silicon) have been intensely studied due to the application as a near-infrared light source. Therefore, it is important to control the formation of GaSb nanostructure by epitaxial growth technique. In this study, we have studied the effect of several types of the Ga/Si(111) surface reconstructions on the growth morphology of GaSb islands by ultrahigh-vacuum scanning tunneling microscopy (UHV-STM) and non-contact atomic force microscopy (NC-AFM). On the Ga/Si(111)-√3×√3, the high-density and uniform-sized GaSb islands were formed at 350 °C. | |
| キーワード | （和） | GaSb / Si(111) / 走査型トンネル顕微鏡 / 原子間力顕微鏡 / / / / |
| （英） | GaSb / Si(111) / scanning tunneling microscopy / atomic force microscopy / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 176, ED2013-46, pp. 43-48, 2013年8月. | |
| 資料番号 | ED2013-46 | |
| 発行日 | 2013-08-01 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-46 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2013-46 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2013-08-08 - 2013-08-09 |
| 開催地（和） | 富山大学工学部 大会議室 |
| 開催地（英） | University of Toyama |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス（表面、界面、信頼性）、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2013-08-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Ga/Si(111)表面再構成構造を用いたSi(111)基板上GaSbナノ構造の形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of GaSb Islands on Si(111) Substrate Using Ga/Si(111) Surface Reconstructions |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaSb / GaSb |
| キーワード(2)（和/英） | Si(111) / Si(111) |
| キーワード(3)（和/英） | 走査型トンネル顕微鏡 / scanning tunneling microscopy |
| キーワード(4)（和/英） | 原子間力顕微鏡 / atomic force microscopy |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 町田 龍人 / Ryuto Machida / マチダ リュウト |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Science) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 戸田 隆介 / Ryusuke Toda / トダ リュウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Science) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉木 圭祐 / Keisuke Yoshiki / ヨシキ ケイスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Science) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤川 紗千恵 / Sachie Fujikawa / フジカワ サチエ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Science) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 紳介 / Shinsuke Hara / ハラ シンスケ |
| 第5著者 所属（和/英） | 独立行政法人情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 色川 勝己 / Katsumi Irokawa / イロカワ カツミ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Science) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三木 裕文 / Hirofumi Miki / ミキ ヒロフミ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Science) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河津 璋 / Akira Kawazu / カワヅ アキラ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京電機大学 (略称： 東京電機大) Tokyo Denki University (略称： Tokyo Denki Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤代 博記 / Hiroki I. Fujishiro / フジシロ ヒロキ |
| 第9著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Science) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-08-09 09:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2013-46 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.176 |
| ページ範囲 | pp.43-48 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-08-01 (ED) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]