| 研究会情報 |
| 研究会 |
SDM |
| 開催期間 |
2013-10-17 - 2013-10-18 |
| 開催地(和) |
東北大学未来研 |
| 開催地(英) |
Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ(和) |
プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ(英) |
Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SDM |
| 会議コード |
2013-10-SDM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル(和) |
プラズマチャージングダメージがMOSFETのRandom Telegraph Noise特性に及ぼす影響 |
| サブタイトル(和) |
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| タイトル(英) |
Effects of plasma-induced charging damage on random telegraph noise (RTN) behaviors in advanced MOSFETs |
| サブタイトル(英) |
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| キーワード(1)(和/英) |
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| キーワード(2)(和/英) |
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| キーワード(8)(和/英) |
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| 第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
亀井 政幸 / Masayuki Kamei / カメイ マサユキ |
| 第1著者 所属(和/英) |
京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
中久保 義則 / Yoshinori Nakakubo / ナカクボ ヨシノリ |
| 第2著者 所属(和/英) |
京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
鷹尾 祥典 / Yoshinori Takao / タカオ ヨシノリ |
| 第3著者 所属(和/英) |
京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
江利口 浩二 / Koji Eriguchi / エリグチ コウジ |
| 第4著者 所属(和/英) |
京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.) |
| 第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
斧 高一 / Kouichi Ono / オノ コウイチ |
| 第5著者 所属(和/英) |
京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.) |
| 第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第30著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第32著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第33著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第34著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第35著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第36著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 講演者 |
第4著者 |
| 発表日時 |
2013-10-18 13:30:00 |
| 発表時間 |
30分 |
| 申込先研究会 |
SDM |
| 資料番号 |
SDM2013-97 |
| 巻番号(vol) |
vol.113 |
| 号番号(no) |
no.247 |
| ページ範囲 |
pp.47-50 |
| ページ数 |
4 |
| 発行日 |
2013-10-10 (SDM) |