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講演抄録/キーワード
講演名 2013-10-22 16:30
希土類酸化物及び遷移金属酸化物で修飾したW電界放射陰極の検討 ~ PEEMとFEMによる検討 ~
中根英章武田紘己室蘭工大)・川久保貴史香川高専ED2013-55 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-55
抄録 (和) W電界放射陰極の先端に希土類酸化物や遷移金属酸化物を拡散してモノレイヤを形成すると先端のW(100)面の仕事関数が低減して低仕事関数面が形成される。このような低仕事関数面は陰極の輝度の向上などが期待できる。希土類酸化物や遷移金属酸化物による低仕事関数面の仕事関数を光放射顕微鏡により確認し、電界放射陰極の検討を行なった結果について報告する. 
(英) When the apex of tungsten field emitter modified by rare earth oxide or transition metal oxide mono-layer, the work function of W(100) surface is reduced. The low work function surface is expected to be much emission current. The work function of W(100) surface modified by rare earth oxide or transition metal oxide mono-layer are measured by PEEM (Photo Emission Electron Microscope). The field emission characteristics were observed with the tungsten field emitter modified by rare earth oxide or transition metal oxide. And, the work function was estimated from the F-N plots.
キーワード (和) W電界放射陰極 / 希土類酸化物 / 遷移金属酸化物 / W(100)面 / 低仕事関数面 / / /  
(英) W field emitter / rare earth oxide / transition metal oxide / W(100) surface / low work function surface / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 257, ED2013-55, pp. 19-22, 2013年10月.
資料番号 ED2013-55 
発行日 2013-10-15 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2013-55 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-55

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2013-10-22 - 2013-10-23 
開催地(和) 北海道大学エンレイソウ 
開催地(英) Enreisou, Hokkaido Univ. 
テーマ(和) 電子管と真空ナノエレクトロニクス 
テーマ(英) Vacuum tube and vacuum nanoelectronics 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2013-10-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 希土類酸化物及び遷移金属酸化物で修飾したW電界放射陰極の検討 
サブタイトル(和) PEEMとFEMによる検討 
タイトル(英) W field emission cathode covered with rare earth oxide mono-layer and transition metal oxide mono-layer 
サブタイトル(英) PEEM analysis and FEM analysis 
キーワード(1)(和/英) W電界放射陰極 / W field emitter  
キーワード(2)(和/英) 希土類酸化物 / rare earth oxide  
キーワード(3)(和/英) 遷移金属酸化物 / transition metal oxide  
キーワード(4)(和/英) W(100)面 / W(100) surface  
キーワード(5)(和/英) 低仕事関数面 / low work function surface  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中根 英章 / Hideaki Nakane / ナカネ ヒデアキ
第1著者 所属(和/英) 室蘭工業大学 (略称: 室蘭工大)
Muroran Institute of Technology (略称: Muroran Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 武田 紘己 / Hiroki Takeda / タケダ ヒロキ
第2著者 所属(和/英) 室蘭工業大学 (略称: 室蘭工大)
Muroran Institute of Technology (略称: Muroran Inst. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 川久保 貴史 / Takashi Kawakubo / カワクボ タカシ
第3著者 所属(和/英) 香川高等専門学校 (略称: 香川高専)
Kagawa National College of Technology (略称: KNCT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-10-22 16:30:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2013-55 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.257 
ページ範囲 pp.19-22 
ページ数
発行日 2013-10-15 (ED) 


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