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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-10-24 10:00 イオン注入法を用いたサブバンド間遷移超高速全光ゲートスイッチの高性能化 ○秋本良一・フェン ジジュン・牛頭信一郎・物集照夫・石川 浩（産総研）  OCS2013-48 OPE2013-94 LQE2013-64 |
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| 抄録 | （和） | イオン注入による量子井戸混合法を用いて，異なるバンドギャップもつInGaAs/AlAsSb量子井戸光導波路を接続したマイケルソン干渉計型のサブバンド間遷移超高速光ゲートスイッチを作製した．Ｐイオンを注入後，急速アニールを施すことにより、InGaAs/AlAsSb量子井戸のバンド間遷移による吸収端波長を短波長化できることを確認した．この技術を用いて高効率な全光位相変調部用の光導波路と低損失なパッシブ光導波路を接続した構造をもつ光ゲートスイッチを作製した． 5.6pJの光パルスエネルギーの入力によりπラジアンの位相シフトによるフルスイッチング動作を確認した． |
| （英） | We demonstrate a compact all-optical Michelson interferometer (MI) gating switch with monolithic integration of two different bandgap energies. Based on the ion-induced intermixing in InGaAs/AlAsSb coupled double quantum wells, the blueshift of the band edge can be tailored. Through phosphorus ion implantation and subsequent annealing, an implanted sample can acquire a high transmittance compared with the as-grown one. Meanwhile, the crossphase modulation (XPM) efficiency of a non-implanted sample undergoing the same annealing process decreases little. An implanted part for signal propagation and a non-implanted section for XPM are thus monolithically integrated for an MI switch by an area-selective manner. Full switching of a π-rad nonlinear phase shift is achieved with pump pulse energy of 5.6 pJ. | |
| キーワード | （和） | サブバンド間遷移 / InGaAs/AlAsSb量子井戸 / 相互位相変調 / イオン注入 / 光ゲートスイッチ / / / |
| （英） | intersubband transition / InGaAs/AlAsSb quantum well / cross-phase modulation / ion implantation / optical gate switch / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 264, LQE2013-64, pp. 5-8, 2013年10月. | |
| 資料番号 | LQE2013-64 | |
| 発行日 | 2013-10-17 (OCS, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OCS2013-48 OPE2013-94 LQE2013-64 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE OCS OPE |
| 開催期間 | 2013-10-24 - 2013-10-25 |
| 開催地（和） | 門司港・海峡ロマンホール |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 超高速伝送，変復調，分散補償技術，超高速光信号処理技術，広帯域光増幅，WDM技術，受光デバイス，高光出力伝送技術，及び一般 (ECOC報告) |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2013-10-LQE-OCS-OPE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | イオン注入法を用いたサブバンド間遷移超高速全光ゲートスイッチの高性能化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of high performance ultrafast intersubband all-optical gate switch using ion implantation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | サブバンド間遷移 / intersubband transition |
| キーワード(2)（和/英） | InGaAs/AlAsSb量子井戸 / InGaAs/AlAsSb quantum well |
| キーワード(3)（和/英） | 相互位相変調 / cross-phase modulation |
| キーワード(4)（和/英） | イオン注入 / ion implantation |
| キーワード(5)（和/英） | 光ゲートスイッチ / optical gate switch |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 秋本 良一 / Ryoichi Akimoto / アキモト リョウイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | フェン ジジュン / Feng Jijun / ジジュン フェン |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牛頭 信一郎 / Shin-ichiro Gozu / ゴズ シンイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 物集 照夫 / Teruo Mozume / モズメ テルオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 浩 / Hiroshi Ishikawa / イシカワ ヒロシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-10-24 10:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | OCS2013-48, OPE2013-94, LQE2013-64 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.262(OCS), no.263(OPE), no.264(LQE) |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-10-17 (OCS, OPE, LQE) |
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