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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-10-25 10:50 ［招待講演］完全格子整合した磁気トンネル接合の巨大トンネル磁気抵抗効果 ～ スピネルMgAl2O4系トンネルバリアの現状 ～ ○介川裕章・猪俣浩一郎・三谷誠司（物質・材料研究機構）  MR2013-18 |
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| 抄録 | （和） | 強磁性層/トンネルバリア/強磁性層構造を有する強磁性トンネル接合（MTJ）は、不揮発性磁気メモリ素子やハードディスクドライブのヘッドセンサーの基本動作を担っている。本研究ではMTJの新しいバリア層材料として結晶質のMgAl2O4（スピネル）が有望であることを報告する。MgAl2O4バリアを用いることで接合界面に欠陥を含まない完全格子整合した界面が実現され、室温トンネル磁気抵抗比（TMR）比の増大効果を示すことや、TMR比のバイアス電圧依存性の向上が可能であることを示す。さらに，MgAl2O4のもつスピネル構造の陽イオン位置を不規則化させることでTMR比が飛躍的に増大することを明らかにし，室温300%以上の巨大なTMR比を達成した。 |
| （英） | Tunnel magnetoresistance (TMR) devices with a monocrystalline MgAl2O4 barrier were successfully developed. The lattice matched heterostructure without any defects at the barrier interfaces was obtained, and TMR enhancement due to a spin-dependent coherent tunneling effect was demonstrated in the structure. In addition, it was found that cation-site disordering into the MgAl2O4 structure significantly increases the TMR. In fact, a giant TMR over 300% at room temperature was achieved by introducing the disordering into the barrier. These results demonstrate the effectiveness of MgAl2O4 as a spintronics material. | |
| キーワード | （和） | スピントロニクス / トンネル磁気抵抗効果 / 磁性薄膜 / スピネル / / / / |
| （英） | Spintronics / tunnel magnetoresistance / Magnetic thin films / Spinel / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, 2013年10月. | |
| 資料番号 | ||
| 発行日 | 2013-10-17 (MR) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MR2013-18 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MRIS ITE-MMS |
| 開催期間 | 2013-10-24 - 2013-10-25 |
| 開催地（和） | 福岡交通センタービル 博多バスターミナル |
| 開催地（英） | Fukuoka-Kotsu-Center Bldg., Hakata Bus Terminal |
| テーマ（和） | ヘッド・スピントロニクス，一般 |
| テーマ（英） | Recording head, Spintronics, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2013-10-MR-MMS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 完全格子整合した磁気トンネル接合の巨大トンネル磁気抵抗効果 |
| サブタイトル（和） | スピネルMgAl2O4系トンネルバリアの現状 |
| タイトル（英） | Giant tunnel magnetoresistance in perfectly lattice-matched magnetic tunnel junctions |
| サブタイトル（英） | Current status of spinel MgAl2O4-based tunnel barriers |
| キーワード(1)（和/英） | スピントロニクス / Spintronics |
| キーワード(2)（和/英） | トンネル磁気抵抗効果 / tunnel magnetoresistance |
| キーワード(3)（和/英） | 磁性薄膜 / Magnetic thin films |
| キーワード(4)（和/英） | スピネル / Spinel |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 介川 裕章 / Hiroaki Sukegawa / スケガワ ヒロアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 猪俣 浩一郎 / Koichiro Inomata / イノマタ コウイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三谷 誠司 / Seiji Mitani / ミタニ セイジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-10-25 10:50:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MR2013-18 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.267 |
| ページ範囲 | pp.35-40 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-10-17 (MR) |
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