| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2013-11-22 14:25
インピーダンス分光法による低分子系有機光電変換素子の特性制限要因の解析 ○柴 瀛・村山龍平・小島広孝・松原亮介・中村雅一(奈良先端大) OME2013-71 OPE2013-132 |
| 抄録 |
(和) |
室内光エネルギーを効率よく、かつ、人間の目に暗さを感じさせずに回収する目的で、ワイドバンドギャップ半導体材料であるジビフェニル-ベンゾチエノベンゾチオフェン(DBPh-BTBT)誘導体をp型材料として、C60をn型材料として用いた平面接合型有機光電変換素子(planar OPV)を作製した。電流密度-電圧(J-V)特性を測定し、開放端電圧(Voc)などの素子特性値を求めた。また、インピーダンス分光測定を行い、各層をRC並列回路で表した等価回路モデルでインピーダンススペクトルをフィッティングし、得られた各層パラメータの印加電圧依存性を求めた。その結果、p型材料にアクセプタ材料であるF4TCNQをドーピングした層(p-dope層)のキャパシタンスが印加電圧によって大きく変化することが確認された。このp-dope層がフラットバンドになる印加電圧から、pが材料のHOMOとn型材料のLUMOのエネルギー差と比較してVocが小さくなってしまう原因について考察を行った。 |
| (英) |
For the purpose of effective energy harvesting in room ambient without making human eyes feel dark, wide HOMO-LUMO gap p-type materials, 2,7-Di[biphenyl]benzothieno[3,2-b]benzothiophene (DBPh-BTBT), and C60 fullerene was used for fabricating planar organic photovoltaic (OPV) devices. Device parameters, such as the open circuit voltage (Voc), have been determined by measuring current density–voltage characteristics. Impedance spectroscopy has been also applied to the samples and the equivalent circuit constants have been extracted assuming that the each layer is regarded as a CR parallel circuit. Then, the dependence of the constants on the applied voltage has been investigated. As a result, the capacitance of the p-doped later, in which F4TCNQ is doped as an acceptor material, was confirmed to be widely varied by the applied voltage. The reason why the becomes smaller than the energy difference between HOMO of the p-type and LUMO of the n-type materials was discussed based on the flat-band voltage for the p-doped layer. |
| キーワード |
(和) |
ワイドバンドギャップ有機半導体 / 有機太陽電池 / 平面接合型 / インピーダンス分光法 / / / / |
| (英) |
Wide band gap organic semiconductor / Organic photovoltaic / Planar heterojunction / Impedance spectroscopy / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 312, OME2013-71, pp. 19-23, 2013年11月. |
| 資料番号 |
OME2013-71 |
| 発行日 |
2013-11-15 (OME, OPE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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