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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-11-28 15:10 低Mgドープp-GaNショットキー接触のAC動作 ○塩島謙次・青木俊周（福井大）・金田直樹・三島友義（日立金属）  ED2013-72 CPM2013-131 LQE2013-107 |
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| 抄録 | （和） | 電圧掃引速度、掃引方向を変化させたI-V測定、及び交流測定を低Mgドープｐ－GaNショットキー接触に対して行った。I-V測定において、電流が掃引速度に依存し、また掃引方向を変えることにより電流の極性が反転することを発見した。この系では障壁高さが非常に高く、真電流の寄与が小さく、変位電流の存在を検出したと考えられる。さらに、矩形波、正弦波電圧を入力した交流動作においても、出力電流に変位成分が寄与する微分動作を観測した。 |
| （英） | Current-voltage (I-V) characteristics with variations of voltage sweep speed (vsweep) and changing sweep directions, and alternating current (AC) operation of low-Mg-doped p-GaN Schottky contacts were analyzed. In the I-V characteristics, proportional relationship between vsweep and current, and polarity inversion of the current were observed when the applied voltage was low, which indicates the existence of a displacement current. In the AC operations under the square- and sinusoidal-wave input, a conventional rectifying operation was observed when the input voltage was relatively high. However, we found differential operation in the output current when the input voltage was low, where the displacement current was dominant. | |
| キーワード | （和） | p-GaN / ショットキーダイオード / 低Mgドーピング / 変位電流 / 交流動作 / / / |
| （英） | p-GaN / Schottky diode / Low Mg doping / Displacement current / AC operation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 329, ED2013-72, pp. 39-42, 2013年11月. | |
| 資料番号 | ED2013-72 | |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-72 CPM2013-131 LQE2013-107 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2013-11-28 - 2013-11-29 |
| 開催地（和） | 大阪大学 吹田キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2013-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低Mgドープp-GaNショットキー接触のAC動作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AC Operation of Low-Mg-Doped p-GaN Schottky Diodes |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | p-GaN / p-GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキーダイオード / Schottky diode |
| キーワード(3)（和/英） | 低Mgドーピング / Low Mg doping |
| キーワード(4)（和/英） | 変位電流 / Displacement current |
| キーワード(5)（和/英） | 交流動作 / AC operation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima / シオジマ ケンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 青木 俊周 / Toshichika Aoki / アオキ トシチカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金田 直樹 / Naoki Kaneda / カネダ ナオキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日立金属株式会社 (略称： 日立金属) Hitachi Metal Ltd. (略称： Hitachi Metal) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三島 友義 / Tomoyoshi Mishima / ミシマ トモヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日立金属株式会社 (略称： 日立金属) Hitachi Metal Ltd. (略称： Hitachi Metal) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-11-28 15:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2013-72, CPM2013-131, LQE2013-107 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) |
| ページ範囲 | pp.39-42 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) |
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