講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-11-28 14:20
InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察 ○渡邉則之・満原 学・横山春喜(NTT)・梁 剣波・重川直輝(阪市大) ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105 エレソ技報アーカイブへのリンク: ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105 |
抄録 |
(和) |
InGaN/GaN MQW太陽電池の短絡電流とMQW構造の相関について考察した。GaNバリア層厚が薄いほど、また、MQWのペア数が多いほど、短絡電流は増大する傾向があるが、これらは短絡電流が光誘起キャリアの輸送特性が拡散長で規定される拡散過程により律速される、と仮定したモデルにより再現されることを確認した。また、本モデルに基いて最適なMQW構造に関して考察し、バリア層厚を薄くすることにより、より高い短絡電流を得られることを示した。 |
(英) |
We have investigated InGaN/GaN MQW solar cells on the relationship between short circuit current and the MQW structure. We reported that higher short circuit current was obtained in solar cells with thinner GaN barrier layer and with more numbers of InGaN/GaN period. This tendency can be explained by the hypothesis that the transportation of photo-induced carriers is determined by the diffusion process with some diffusion length. Based on this model, we find that the MQW structure with thinner barrier layer is advantageous for higher short circuit current. |
キーワード |
(和) |
太陽電池 / InGaN/GaN MQW / 短絡電流 / 拡散過程 / / / / |
(英) |
solar cells / InGaN/GaN MQW / short circuit current / diffusion process of photo-induced carrier / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 329, ED2013-70, pp. 31-34, 2013年11月. |
資料番号 |
ED2013-70 |
発行日 |
2013-11-21 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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PDFダウンロード |
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