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講演抄録/キーワード
講演名 2013-11-28 14:20
InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察
渡邉則之満原 学横山春喜NTT)・梁 剣波重川直輝阪市大ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105
抄録 (和) InGaN/GaN MQW太陽電池の短絡電流とMQW構造の相関について考察した。GaNバリア層厚が薄いほど、また、MQWのペア数が多いほど、短絡電流は増大する傾向があるが、これらは短絡電流が光誘起キャリアの輸送特性が拡散長で規定される拡散過程により律速される、と仮定したモデルにより再現されることを確認した。また、本モデルに基いて最適なMQW構造に関して考察し、バリア層厚を薄くすることにより、より高い短絡電流を得られることを示した。 
(英) We have investigated InGaN/GaN MQW solar cells on the relationship between short circuit current and the MQW structure. We reported that higher short circuit current was obtained in solar cells with thinner GaN barrier layer and with more numbers of InGaN/GaN period. This tendency can be explained by the hypothesis that the transportation of photo-induced carriers is determined by the diffusion process with some diffusion length. Based on this model, we find that the MQW structure with thinner barrier layer is advantageous for higher short circuit current.
キーワード (和) 太陽電池 / InGaN/GaN MQW / 短絡電流 / 拡散過程 / / / /  
(英) solar cells / InGaN/GaN MQW / short circuit current / diffusion process of photo-induced carrier / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 329, ED2013-70, pp. 31-34, 2013年11月.
資料番号 ED2013-70 
発行日 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105

研究会情報
研究会 CPM LQE ED  
開催期間 2013-11-28 - 2013-11-29 
開催地(和) 大阪大学 吹田キャンパス 
開催地(英)  
テーマ(和) 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 
テーマ(英) Nitride and Compound Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2013-11-CPM-LQE-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Investigation on the optimum MQW structure for InGaN/GaN solar cells 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 太陽電池 / solar cells  
キーワード(2)(和/英) InGaN/GaN MQW / InGaN/GaN MQW  
キーワード(3)(和/英) 短絡電流 / short circuit current  
キーワード(4)(和/英) 拡散過程 / diffusion process of photo-induced carrier  
キーワード(5)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡邉 則之 / Noriyuki Watanabe / ワタナベ ノリユキ
第1著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称: NTT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 満原 学 / Manabu Mitsuhara / ミツハラ マナブ
第2著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称: NTT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 横山 春喜 / Haruki Yokoyama / ヨコヤマ ハルキ
第3著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称: NTT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 梁 剣波 / Jianbo Liang / リョウ ケンハ
第4著者 所属(和/英) 大阪市立大学 (略称: 阪市大)
Osaka City University (略称: Osaka City Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 重川 直輝 / Naoteru Shigekawa / シゲカワ ナオテル
第5著者 所属(和/英) 大阪市立大学 (略称: 阪市大)
Osaka City University (略称: Osaka City Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-11-28 14:20:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2013-70, CPM2013-129, LQE2013-105 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) 
ページ範囲 pp.31-34 
ページ数
発行日 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) 


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