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| 講演名 | 2013-11-28 14:45 GaN自立基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価 ○塩島謙次・木原雄平・青木俊周（福井大）・金田直樹・三島友義（日立金属）  ED2013-71 CPM2013-130 LQE2013-106 |
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| 抄録 | （和） | GaN自立基板を用いた低濃度厚膜ショットキーダイオードを作製し、電気的特性を評価した結果を報告する。厚さ12μmの低Siドープn-GaN層をMOCVD法で成長し、Ni/Auショットキー電極を形成した。n-GaN中のSi、およびC濃度が1-9x1016 cm-3範囲内で異なる試料を用意した。SiとC濃度がほぼ等しい試料ではC-V特性から求めたキャリア濃度は0.7～2x1016 cm-3の範囲内に制御されていた。これらの試料はCの補償量によらず、良好なI-V順方向特性を示し、障壁高さ：1.04-1.10 eV、ｎ値：1.01-1.03の値を得た。 |
| （英） | We fabricated and characterized low-Si-doped thick GaN Schottky diodes on GaN substrates with varied C-doping concentrations. Low-Si-doped-GaN films (12 µm-thick) were grown on GaN substrates using MOCVD. Si and C concentrations were varied in the range of 1-9x1016 cm-3. From the C-V carrier profiles, the net carrier concentration were well-controlled in the range between 0.7 and 2x1016 cm-3 for the samples with Si ≈ C. In the I-V characteristics, they showed good linearity in the forward current, and Schottky barrier height and n-value were obtained to be 1.04-1.10 eV, and 1.01-1.03, respectively. The reverse currents were as low as 10 pA at -200 V. | |
| キーワード | （和） | GaN 自立基板 / ショットキーダイオード / 低キャリア濃度 / Cドーピング / / / / |
| （英） | GaN free-standing substrate / Schottky diode / Low carrier concentration / C doping / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 329, ED2013-71, pp. 35-38, 2013年11月. | |
| 資料番号 | ED2013-71 | |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-71 CPM2013-130 LQE2013-106 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2013-11-28 - 2013-11-29 |
| 開催地（和） | 大阪大学 吹田キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2013-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaN自立基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of low-carrier thick n-GaN Schottky diodes on GaN free-standing substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN 自立基板 / GaN free-standing substrate |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキーダイオード / Schottky diode |
| キーワード(3)（和/英） | 低キャリア濃度 / Low carrier concentration |
| キーワード(4)（和/英） | Cドーピング / C doping |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima / シオジマ ケンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木原 雄平 / Yuhei Kihara / キハラ ユウヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 青木 俊周 / Toshichika Aoki / アオキ トシチカ |
| 第3著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金田 直樹 / Naoki Kaneda / カネダ ナオキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日立金属株式会社 (略称： 日立金属) Hitachi Metal Ltd. (略称： Hitachi Metal) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三島 友義 / Tomoyoshi Mishima / ミシマ トモヨシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日立金属株式会社 (略称： 日立金属) Hitachi Metal Ltd. (略称： Hitachi Metal) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-11-28 14:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2013-71, CPM2013-130, LQE2013-106 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) |
| ページ範囲 | pp.35-38 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) |
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