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| 講演名 | 2013-11-28 16:40 A novel method for crystallizations of aluminum nitride ○PeiTsen Wu・Mitsuru Funato・Yoichi Kawakami（Kyoto Univ.）  ED2013-75 CPM2013-134 LQE2013-110 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2013-75 CPM2013-134 LQE2013-110 |
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| 抄録 | （和） | In this work, a new method of AlN crystal growth is proposed. AlN powders, whiskers, and films have successfully been synthesized in the temperature range from 1200 to 1500C using just Al powders and nitrogen gas. The formation of AlN crystals was confirmed by x-ray diffraction. Photoluminescence spectroscopy show intense deep-level emissions, indicating a high potential of the synthesized AlN as a light emitting material. In addition, an AlN film with a thickness of only 1.38 μm can be separated from the sapphire substrate after the growth likely due to the decomposition of sapphire. |
| （英） | In this work, a new method of AlN crystal growth is proposed. AlN powders, whiskers, and films have successfully been synthesized in the temperature range from 1200 to 1500C using just Al powders and nitrogen gas. The formation of AlN crystals was confirmed by x-ray diffraction. Photoluminescence spectroscopy show intense deep-level emissions, indicating a high potential of the synthesized AlN as a light emitting material. In addition, an AlN film with a thickness of only 1.38 μm can be separated from the sapphire substrate after the growth likely due to the decomposition of sapphire. | |
| キーワード | （和） | Aluminum nitride / AlN powder / AlN whisker / AlN film / Aluminum powder / Nitrogen gas / / |
| （英） | Aluminum nitride / AlN powder / AlN whisker / AlN film / Aluminum powder / Nitrogen gas / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 331, LQE2013-110, pp. 51-55, 2013年11月. | |
| 資料番号 | LQE2013-110 | |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-75 CPM2013-134 LQE2013-110 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2013-75 CPM2013-134 LQE2013-110 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2013-11-28 - 2013-11-29 |
| 開催地（和） | 大阪大学 吹田キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2013-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A novel method for crystallizations of aluminum nitride |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Aluminum nitride / Aluminum nitride |
| キーワード(2)（和/英） | AlN powder / AlN powder |
| キーワード(3)（和/英） | AlN whisker / AlN whisker |
| キーワード(4)（和/英） | AlN film / AlN film |
| キーワード(5)（和/英） | Aluminum powder / Aluminum powder |
| キーワード(6)（和/英） | Nitrogen gas / Nitrogen gas |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | ゴ ペイツエン / PeiTsen Wu / ゴ ペイツエン |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 船戸 充 / Mitsuru Funato / フナト ミツル |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川上 養一 / Yoichi Kawakami / カワカミ ヨウイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-11-28 16:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2013-75, CPM2013-134, LQE2013-110 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) |
| ページ範囲 | pp.51-55 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) |
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