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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-11-28 15:50 高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 ○前川拓也・本田善央・天野 浩・西谷智博（名大）  ED2013-73 CPM2013-132 LQE2013-108 |
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| 抄録 | （和） | 我々は、負の電子親和力を持つ半導体表面を用いた電子源（NEA半導体フォトカソード電子源）の高輝度、高耐久化を目指して、p-GaN半導体を用いた機能性表面の寿命に対する電子源の高輝度条件を検討した。超高真空中でp-GaN基板に対してNEA表面活性化を行った後、その量子効率の波長依存性及びその寿命の測定実験を行った。その結果から、p-GaN基板は、従来技術のp-GaAs基板に比べて20倍以上寿命が長く、より高耐久性能を持つことが分かった。また、表面機能が低下するに連れて、バンドギャップエネルギー以下の励起エネルギーでの量子効率が優先的に減少することが分かった。これらの結果より、p-GaN基板を用いたNEA半導体フォトカソード電子源は、高耐久である一方で、表面機能が劣化した状態がより電子ビーム源として単色化に適していることを明らかにした。 |
| （英） | We report the lifetime and high brightness condition of the NEA GaN surface for the high brightness and durability of the electron source using the p-type semiconductor surface with the negative electron affinity. After making the NEA surface on the p-GaN substrate in the ultra-high vacuum, we measured the wavelength and lifetime dependents of the quantum efficiency. We confirmed that the p-GaN substrate has over twenty times as long lifetime as p-GaAs substrate and it has the higher durability performance by the result. In addition, we knew that the quantum efficiency below the bandgap energy is decreased especially with deterioration of the surface function. By these results, NEA photocathode electron source using the p-GaN has the high durability and their deteriorated surface was suitable for becoming single color of the electron beam. | |
| キーワード | （和） | GaN / GaAs / NEA / フォトカソード / 電子ビーム源 / / / |
| （英） | GaN / GaAs / NEA / Photocathode / electron beam source / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 331, LQE2013-108, pp. 43-46, 2013年11月. | |
| 資料番号 | LQE2013-108 | |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-73 CPM2013-132 LQE2013-108 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2013-11-28 - 2013-11-29 |
| 開催地（和） | 大阪大学 吹田キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2013-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Quantum Efficiency of p-GaN with NEA surface for high brightness electron source |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(3)（和/英） | NEA / NEA |
| キーワード(4)（和/英） | フォトカソード / Photocathode |
| キーワード(5)（和/英） | 電子ビーム源 / electron beam source |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前川 拓也 / Takuya Maekawa / マエカワ タクヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本田 善央 / Yoshio Honda / ホンダ ヨシオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 浩 / Hiroshi Amano / アマノ ヒロシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西谷 智博 / Tomohiro Nishitani / ニシタニ トモヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-11-28 15:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2013-73, CPM2013-132, LQE2013-108 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) |
| ページ範囲 | pp.43-46 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) |
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