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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-11-29 13:30 270nm帯深紫外LEDの大面積形成 ○美濃卓哉（理研/パナソニック）・平山秀樹（理研）・野口憲路・高野隆好・椿 健治（理研/パナソニック）  ED2013-82 CPM2013-141 LQE2013-117 |
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| 抄録 | （和） | AlGaN系深紫外LEDの低コスト化を狙い，2インチ×3枚サイズのサセプタを用いた大面積形成技術を開発した．アンモニアパルス多段成長法を導入することで，サファイア基板上AlNテンプレートの結晶性を向上させるとともに，2インチ×3枚の範囲内で結晶性を均一化することに成功した．その結果，このAlNテンプレート上に波長270nm帯の深紫外LEDを作製し，光出力の測定から，外部量子効率(EQE)を算出したところ，2-3%を示す波長270nm帯LEDチップが，2インチウエハ面内の約50%の範囲から得られた． |
| （英） | High-quality AlN templates were successfully fabricated on sapphire substrates by using a 2-inchx3 metallorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) reactor, for the realization of low-cost AlGaN-based deep-ultraviolet (DUV) light-emitting diodes (LEDs). Applying NH3 pulsed-flow method to a fabrication of AlN templates resulted in a good wafer-to-wafer and in-wafer uniformity of the crystalline-quality of AlN/sapphire templates. Furthermore these AlN templates enabled the highly-uniform 270-nm DUV LEDs. The external quantum efficiencies (EQEs) of 2-3% were obtained in approximately 50% of the area of 2-inch wafer. | |
| キーワード | （和） | 深紫外LED / AlNテンプレート / 大面積形成 / 低コスト化 / / / / |
| （英） | Deep-ultraviolet light-emitting diode / AlN template / uniformity / low-cost / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 331, LQE2013-117, pp. 83-86, 2013年11月. | |
| 資料番号 | LQE2013-117 | |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-82 CPM2013-141 LQE2013-117 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2013-11-28 - 2013-11-29 |
| 開催地（和） | 大阪大学 吹田キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2013-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 270nm帯深紫外LEDの大面積形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of Highly-Uniform 270-nm Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 深紫外LED / Deep-ultraviolet light-emitting diode |
| キーワード(2)（和/英） | AlNテンプレート / AlN template |
| キーワード(3)（和/英） | 大面積形成 / uniformity |
| キーワード(4)（和/英） | 低コスト化 / low-cost |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 美濃 卓哉 / Takuya Mino / ミノ タクヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 理化学研究所/パナソニック (略称： 理研/パナソニック) Riken/Panasonic (略称： Riken/Panasonic) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平山 秀樹 / Hideki Hirayama / ヒラヤマ ヒデキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研) Riken (略称： Riken) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野口 憲路 / Norimichi Noguchi / ノグチ ノリミチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 理化学研究所/パナソニック (略称： 理研/パナソニック) Riken/Panasonic (略称： Riken/Panasonic) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高野 隆好 / Takayoshi Takano / タカノ タカヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 理化学研究所/パナソニック (略称： 理研/パナソニック) Riken/Panasonic (略称： Riken/Panasonic) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 椿 健治 / Kenji Tsubaki / ツバキ ケンジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 理化学研究所/パナソニック (略称： 理研/パナソニック) Riken/Panasonic (略称： Riken/Panasonic) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-11-29 13:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2013-82, CPM2013-141, LQE2013-117 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) |
| ページ範囲 | pp.83-86 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) |
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