| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-11-29 09:30 赤色発光Eu添加GaN/AlGaN多重量子井戸構造のOMVPE成長と発光特性 ○荒居孝紀・若松龍太・李 東建・小泉 淳・藤原康文（阪大）  ED2013-77 CPM2013-136 LQE2013-112 |
|
| 抄録 | （和） | Eu添加GaN/AlGaN多重量子井戸(MQW:Eu)構造を有機金属気相エピタキシャル法により作製し、その発光特性を調べた。X線回折測定からEuを添加しても、多重量子井戸構造を示すサテライトピークが観測された。MQW:Euのフォトルミネッセンス(PL)測定から、同様な条件で成長したEu添加GaN (GaN:Eu)バルクと比較してEu発光ピーク強度の増大が観測され、ピーク幅はブロードになった。MQW:Euの積分PL強度はGaN:Euと比較して約4倍に増大した。MQW:EuのPL励起スペクトルから、Eu発光強度の増大は、Eu3+が量子井戸に添加されたことに由来するものであることが分かった。 |
| （英） | We have grown Eu-doped GaN/AlGaN multiple quantum well (MQW:Eu) structures by organometallic vapor-phase epitaxy, and investigated their luminescence properties. The satellite peaks owing to GaN/AlGaN multiple quantum well structures were observed in X-ray diffraction patterns for the MQW:Eu samples. The photoluminescence (PL) spectra of the MQW:Eu samples exhibited enhancement of Eu luminescence peak intensity and broadening of the peak width compared with Eu-doped GaN (GaN:Eu) grown using the same condition. The integrated PL intensity in MQW:Eu was four times higher than that in GaN:Eu. Photoluminescence excitation (PLE) spectra of MQW:Eu indicated that the enhanced Eu luminescence originated from Eu3+ ions in the GaN well layers. | |
| キーワード | （和） | Eu / 量子井戸 / 有機金属気相エピタキシャル法 / GaN / AlGaN / / / |
| （英） | Eu / quantum well / OMVPE / GaN / AlGaN / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 331, LQE2013-112, pp. 63-66, 2013年11月. | |
| 資料番号 | LQE2013-112 | |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-77 CPM2013-136 LQE2013-112 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2013-11-28 - 2013-11-29 |
| 開催地（和） | 大阪大学 吹田キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2013-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 赤色発光Eu添加GaN/AlGaN多重量子井戸構造のOMVPE成長と発光特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | OMVPE growth and red luminescence properties of Eu doped GaN/AlGaN multiple quantum well structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Eu / Eu |
| キーワード(2)（和/英） | 量子井戸 / quantum well |
| キーワード(3)（和/英） | 有機金属気相エピタキシャル法 / OMVPE |
| キーワード(4)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(5)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒居 孝紀 / Takanori Arai / アライ タカノリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 若松 龍太 / Ryuta Wakamatsu / ワカマツ リュウタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 李 東建 / Dong-gun Lee / イ ドンゴン |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小泉 淳 / Atsushi Koizumi / コイズミ アツシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤原 康文 / Yasufumi Fujiwara / フジワラ ヤスフミ |
| 第5著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-11-29 09:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2013-77, CPM2013-136, LQE2013-112 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) |
| ページ範囲 | pp.63-66 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]