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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-11-29 16:40 GaN-HEMTスイッチング回路における不要電磁波の放射特性の評価 ○井手利英・鍛冶良作・清水三聡（産総研）・水谷研治・上野弘明・大塚信之・上田哲三・田中 毅（パナソニック）  ED2013-89 CPM2013-148 LQE2013-124 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2013-89 CPM2013-148 LQE2013-124 |
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| 抄録 | （和） | GaN-HEMTを用いたスイッチングコンバータの回路から放射される不要な電磁波を電磁界プローブによる2次元平面スキャンで評価した．スキャンした電磁波のスペクトル中に，スイッチング波形に含まれるリンギングに起因した単一ピークが見られた．変換器の電源回路電圧Vccを0Vから24Vへ変化させたとき，この電磁界スペクトルのピーク周波数は110から160Mzへとシフトした．このように周波数シフトが回路電圧依存性をもつのは，周波数シフトがGaN-HEMTの空乏層領域の容量変化に起因しているためと考えられる．そこで，放射電磁波がGaN-HEMTの出力容量と回路配線中のインダクタンスLlineの直列共振に起因するとした等価回路モデルを提案し，インダクタンスを1.2nHとして計算したところ実験結果と良好な一致を示した． |
| （英） | The radiated emission from the GaN-HEMT switching converter is investigated by two-dimensional electromagnetic-probe scanning. By the scanning, the single peak spectrum due to the ringing of the switching waveforms is obtained. When the supply voltage of the converter Vcc is varied, this peak frequency of the spectrum of the electromagnetic field is shifted. This peak shift is thought to be due to the change of the capacitance of the depletion region in the GaN-HEMTs. Therefore, we propose the equivalent circuit model for the radiated emission employing the resonant frequency between the output capacitance of the GaN-HEMTs and the parasitic inductance of the circuit wire Lline. The calculated results at Lline of 1.2 nH agree well with the experimental results. | |
| キーワード | （和） | GaN / HEMT / スイッチング / 電磁波 / 等価回路モデル / / / |
| （英） | GaN / HEMT / switching / electromagnetic field / equivalent circuit model / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 329, ED2013-89, pp. 117-120, 2013年11月. | |
| 資料番号 | ED2013-89 | |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-89 CPM2013-148 LQE2013-124 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2013-89 CPM2013-148 LQE2013-124 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2013-11-28 - 2013-11-29 |
| 開催地（和） | 大阪大学 吹田キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2013-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaN-HEMTスイッチング回路における不要電磁波の放射特性の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of unwanted radiated emission from GaN-HEMT switching circuit |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | スイッチング / switching |
| キーワード(4)（和/英） | 電磁波 / electromagnetic field |
| キーワード(5)（和/英） | 等価回路モデル / equivalent circuit model |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井手 利英 / Toshihide Ide / イデ トシヒデ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鍛冶 良作 / Ryousaku Kaji / |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清水 三聡 / Mitsuaki Shimizu / |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水谷 研治 / Kenji Mizutani / |
| 第4著者 所属（和/英） | パナソニック (略称： パナソニック) Panasonic (略称： Panasonic) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上野 弘明 / Hiroaki Ueno / |
| 第5著者 所属（和/英） | パナソニック (略称： パナソニック) Panasonic (略称： Panasonic) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大塚 信之 / Nobuyuki Otsuka / |
| 第6著者 所属（和/英） | パナソニック (略称： パナソニック) Panasonic (略称： Panasonic) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 哲三 / Tetsuzo Ueda / |
| 第7著者 所属（和/英） | パナソニック (略称： パナソニック) Panasonic (略称： Panasonic) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 毅 / Tsuyoshi Tanaka / |
| 第8著者 所属（和/英） | パナソニック (略称： パナソニック) Panasonic (略称： Panasonic) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-11-29 16:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2013-89, CPM2013-148, LQE2013-124 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) |
| ページ範囲 | pp.117-120 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-11-21 (ED, CPM, LQE) |
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