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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-12-13 13:10 ［奨励講演］オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの低しきい値動作への進展 ○進藤隆彦・二見充輝・土居恭平・平谷拓生・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大）  LQE2013-130 |
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| 抄録 | （和） | LSI内のグローバル配線層の代替として、我々はこれまで半導体薄膜構造を用いたオンチップ光集積回路を提案してきた。オンチップ光配線用光源として期待される半導体薄膜(membrane)レーザは、高屈折率差による強い光閉じ込め効果により高いモード利得が得られることから極低しきい値での動作が可能となる。本稿では、オンチップ光配線用光源としての半導体薄膜レーザの理論解析を行い、コア層厚150 nmの薄膜構造の導入によってオンチップ光配線の要求特性を総合的に満たすことを示した。さらに、横方向電流注入構造を導入した半導体薄膜レーザにおいて、しきい電流値3.5 mAの低しきい値動作を達成した。 |
| （英） | As a substitute for the global wiring on the large scale integrated (LSI) circuits, we have proposed the membrane based on-chip optical integrated circuits. As a promising candidate for the light source of the on-chip optical interconnection, a semiconductor membrane laser, which consists of a high-index contrast waveguide, is expected to operate with ultra-low threshold current due to an enhanced modal gain. In this paper, we investigated the theoretical analysis of the membrane laser for on-chip optical interconnection. As a result, it was found that the membrane laser can totally meet the requirements for on-chip optical interconnection by adopting a core layer thickness of 150 nm. Furthermore, a low threshold current of 3.5 mA was achieved by introducing the lateral current injection structure to the membrane laser. | |
| キーワード | （和） | 半導体薄膜レーザ / 横方向電流注入 / 強光閉じ込め / 表面回折格子 / / / / |
| （英） | Semiconductor membrane laser / Lateral current injection / Strong optical confinement / Surface grating / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 352, LQE2013-130, pp. 27-32, 2013年12月. | |
| 資料番号 | LQE2013-130 | |
| 発行日 | 2013-12-06 (LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | LQE2013-130 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
| 開催期間 | 2013-12-13 - 2013-12-13 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 半導体レーザ関連技術,及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2013-12-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの低しきい値動作への進展 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Progress Toward Low Threshold Operation of Membrane Laser for On-chip Optical Interconnection |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体薄膜レーザ / Semiconductor membrane laser |
| キーワード(2)（和/英） | 横方向電流注入 / Lateral current injection |
| キーワード(3)（和/英） | 強光閉じ込め / Strong optical confinement |
| キーワード(4)（和/英） | 表面回折格子 / Surface grating |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 進藤 隆彦 / Takahiko Shindo / シンドウ タカヒコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 二見 充輝 / Mitsuaki Futami / フタミ ミツアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土居 恭平 / Kyohei Doi / ドイ キョウヘイ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平谷 拓生 / Takuo Hiratani / ヒラタニ タクオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 雨宮 智宏 / Tomohiro Amemiya / アメミヤ トモヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama / ニシヤマ ノブヒコ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒井 滋久 / Shigehisa Arai / アライ シゲヒサ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-12-13 13:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | LQE2013-130 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.352 |
| ページ範囲 | pp.27-32 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-12-06 (LQE) |
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